fda50n50 的Datasheet文档资料查询

FDA50N50详细参数

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

生命周期

Transferred

零件包装代码

TO-3PN

包装说明

FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3

针数

3

制造商包装代码

3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED

Reach Compliance Code

compliant

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

风险等级

3.67

雪崩能效等级（Eas）

1868 mJ

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

500 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

48 A

最大漏极电流 (ID)

48 A

最大漏源导通电阻

0.105 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PSFM-T3

JESD-609代码

e3

元件数量

1

端子数量

3

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

FLANGE MOUNT

峰值回流温度（摄氏度）

NOT SPECIFIED

极性/信道类型

N-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

625 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

192 A

认证状态

Not Qualified

子类别

FET General Purpose Power

表面贴装

NO

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

THROUGH-HOLE

端子位置

SINGLE

处于峰值回流温度下的最长时间

NOT SPECIFIED

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

1