欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购
查询:

fda50n50 的Datasheet文档资料查询

品牌 型号 描述和应用 下载 货源 预览
FAIRCHILD FDA50N50
中文翻译
500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA50N50
中文翻译
500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA50N50
中文翻译
500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA50N50_12
中文翻译
500V N-Channel MOSFET
500V N沟道MOSFET
FAIRCHILD FDA50N50_NL
中文翻译
Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 500V, 0.105ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, TO-3PN, 3 PIN
FAIRCHILD FDA50N50-SWUA001 Transistor
更多FDA50N50资料...

FDA50N50详细参数

Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
零件包装代码
TO-3PN
包装说明
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数
3
制造商包装代码
3LD, TO3PN, PLASTIC, EIAJ SC-65, ISOLATED
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
3.67
雪崩能效等级(Eas)
1868 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
48 A
最大漏极电流 (ID)
48 A
最大漏源导通电阻
0.105 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PSFM-T3
JESD-609代码
e3
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
625 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
192 A
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
NO
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
FDA50N50资料下载FDA50N50_12资料下载FDA50N50_NL资料下载FDA50N50-SWUA001资料下载FDA59N25资料下载FDA59N30资料下载FDA62N28资料下载FDA62N28_NL资料下载FDA69N25资料下载FDA70N20资料下载