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FDB047N10产品参数
型号:FDB047N10
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
制造商包装代码:418AJ
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:0.96
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=166949
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=166949
Samacsys PartID:166949
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FDB047N10.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FDB047N10.jpg
Samacsys Pin Count:4
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:TO-XXX (Inc. DPAK)
Samacsys Footprint Name:TO263(DDPAK)
Samacsys Released Date:2015-04-13 16:42:45
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):1153 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):164 A
最大漏极电流 (ID):120 A
最大漏源导通电阻:0.0047 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-263AB
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):375 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):656 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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