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  • 深圳市南方世兴科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市鹏睿康科技有限公司

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FDB2532产品参数和技术文档

FDB2532产品图

FDB2532产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
800
2.28131
$1,825.05

FDB2532产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 150V 79A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 150V 8A(Ta),79A(Tc) 310W(Tc) D²PAK

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):150V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):8A(Ta),79A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):16 毫欧 @ 33A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):107nC @ 10V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):5870pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):310W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D²PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:800

其它名称:FDB2532TR

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