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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 厂家FAIRCHIL 
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  • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
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  • 数量6000 
  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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  • 原盘原标 假一罚十优势现货价格最低给钱就卖
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配单直通车

FDB2614产品参数和技术文档

FDB2614产品图

FDB2614产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
800
2.84435
$2,275.48

FDB2614产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 200V 62A(Tc) 260W(Tc) D²PAK

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):62A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):27 毫欧 @ 31A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):99nC @ 10V

Vgs(最大值):±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):7230pF @ 25V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):260W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D²PAK

封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

标准包装:800

其它名称:FDB2614TR

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