FDB2614芯片的概述
FDB2614是一款高效能的功率管理芯片,广泛应用于各种电源转换和电源调节场合。由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产,这款芯片在低电压和高电流应用中表现出色,适用于计算机、通信设备以及工业自动化等多个领域。FDB2614不仅具备稳压功能,还可以高效地处理快速负载变化,确保电源稳定性。
该芯片的设计理念在于减少能量损耗,提高转换效率,使其在今天环保和节能的背景下尤为重要。FDB2614主要支持电源管理、DC-DC转换和其他用电设备的高效供电,使得在各种负载条件下都能保持理想的工作状态。
FDB2614的详细参数
FDB2614的参数主要包括以下几个方面:
1. 输入电压范围:通常在4.5V至20V之间,适应多种电源输入需求。 2. 输出电压:支持可调式输出范围,能够根据具体的应用需求灵活调整。 3. 最大输出电流:可达14A,满足高功率要求。 4. 转换效率:在不同负载条件下,最佳转换效率可达90%甚至更高,有助于电源节能。 5. 工作温度范围:-40℃至+125℃,保证芯片在各种环境条件下的可靠性。 6. 封装类型:常见的封装形式包括TO-220和DPAK,方便不同尺寸和布局的电路设计。
厂家、包装及封装
FDB2614由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)制造,作为一家在功率管理和半导体解决方案领域享有盛誉的公司,其产品因高性能和可靠性而受到业内广泛关注。FDB2614的封装形式主要为TO-220和DPAK,具体选择取决于应用的散热需求和电路板布局。
在包装方面,FDB2614通常提供散插型和表面贴装型,方便客户在不同的产品设计和制造过程中采用。其封装设计也充分考虑到散热问题,确保高功率输出时的温度控制。
引脚和电路图说明
FDB2614的引脚排列对于电路设计至关重要。一般情况下,FDB2614包含以下几个引脚配置:
1. VIN:输入电压引脚,连接到电源。 2. GND:接地引脚,确保电路的正常工作。 3. VOUT:输出电压引脚,将稳压后的电压送出。 4. COMP:补偿引脚,用于调整反馈控制。 5. FB:反馈引脚,监控输出电压状态以维护稳压效果。 6. SW:开关引脚,连接到外部功率开关元件。
电路图示例可以帮助进一步理解该芯片的连接方式。FDB2614的典型应用电路可能包括输入电容、输出电容、功率电感以及反馈电路。在具体设计中,还需要加入必要的保护电路,以防止过流、过压等异常情况对芯片的损坏。
使用案例
FDB2614在多个领域的应用都展示了其优越的功率管理特点。在计算机领域,它可以作为CPU和显卡的电源管理芯片,确保在处理高运算时依然保持匀称的电流输出。例如,在高性能计算机系统中,FDB2614可以有效调节供电,与主板上的其他电源管理模块协同工作,保证系统的稳定性。
在通信设备中,FDB2614也有广泛的应用,如基站供电和路由器电源管理。其良好的动态响应能力和高效的能量转换能帮助设备实现更长的续航时间和更低的能耗,这在当今快速发展的信息社会中显得尤为重要。
同样,在工业自动化领域,FDB2614可以用于驱动电机、电源转换等场景。随着工业设备对供电稳定性的要求不断提高,采用FDB2614不仅能提升设备的可靠性,还能降低维护成本。
在智能家居设备中,FDB2614也开始显露身影,为智能家居系统提供高效的电源解决方案。其低待机功耗特性使其适应家居设备的节能需求,提高用户体验。
通过针对性设计,工程师能够灵活地将FDB2614应用于不同场合,针对特定的电源需求进行优化。随着技术的发展,FDB2614的应用场景还将在不断扩展。
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型号: | FDB2614 |
Brand Name: | Fairchild Semiconductor |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | D2PAK |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, 3 PIN |
针数: | 2 |
制造商包装代码: | 2LD,TO263, SURFACE MOUNT |
Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.71 |
雪崩能效等级(Eas): | 145 mJ |
外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 62 A |
最大漏极电流 (ID): | 62 A |
最大漏源导通电阻: | 0.027 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-XSSO-G2 |
JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 260 W |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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