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    • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号24+ 
    • 全新原装★真实库存★含13点增值税票！
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    • 0755-83201583 QQ:2353549508QQ:2885134615
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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量3500 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号23+ 
    • 全新原装现货特价销售！
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    • 深圳市楚胜电子有限公司

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    • 数量22358 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号22+ 
    • 房间现货，价格优势。
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    • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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    • 厂家onsemi(安森美) 
    • 封装TO-263 
    • 批号23+ 
    • 支持大陆交货，美金交易。原装现货库存。
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    • 0755-83062789 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 数量60 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
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    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 集好芯城

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    • 数量16546 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装TO-263-2 
    • 批号最新批次 
    • 原装原厂 现货现卖
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    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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    • 深圳市晶美隆科技有限公司

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    • 数量12736 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263.. 
    • 批号23+ 
    • 全新原装正品现货特价
    • QQ:2885348339QQ：2885348339 复制
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    • 0755-82519391 QQ:2885348339QQ:2885348317
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家Fairchild 
    • 封装TO-263 
    • 批号23+ 
    • 代理全新原装现货，价格优势
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      QQ:2924695115QQ：2924695115 复制
    • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量98500 
    • 厂家FSC 
    • 封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-88917743 QQ:2881495751
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 数量865000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装16+ 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
    • QQ:2881475757QQ：2881475757 复制
    • 0755-83225692 QQ:2881475757
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    • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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    • 数量12300 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号24+ 
    • ★原装真实库存★13点税!
    • QQ:2885134615QQ：2885134615 复制
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    • 深圳市一呈科技有限公司

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    • 数量24190 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装D2-PAKTO-263 
    • 批号12+ 
    • 原装正品专业直销
    • QQ:3003797048QQ：3003797048 复制
      QQ:3003797050QQ：3003797050 复制
    • 0755-82779553 QQ:3003797048QQ:3003797050
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    • 深圳市三得电子有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量60000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装SOT-263 
    • 批号2024 
    • 深圳原装现货库存，欢迎咨询合作
    • QQ:414322027QQ：414322027 复制
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    • 13509684848 QQ:414322027QQ:565106636
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    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量20000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263 
    • 批号17+ 
    • 原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈
    • QQ:1091796029QQ：1091796029 复制
      QQ:916896414QQ：916896414 复制
    • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
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    • 上海熠富电子科技有限公司

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    • 数量3000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装N/A 
    • 批号2024 
    • 上海原装现货库存，欢迎查询！
    • QQ:2719079875QQ：2719079875 复制
      QQ:2300949663QQ：2300949663 复制
    • 15821228847 QQ:2719079875QQ:2300949663
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    • 深圳市宇集芯电子有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量99000 
    • 厂家FAIRCHIL 
    • 封装TO-263 
    • 批号23+ 
    • 一级代理进口原装现货、假一罚十价格合理
    • QQ:1157099927QQ：1157099927 复制
      QQ:2039672975QQ：2039672975 复制
    • 0755-2870-8773手机微信同号13430772257 QQ:1157099927QQ:2039672975
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • FDB6021P
    • 数量85000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装16+ 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
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    • 深圳市芳益电子科技有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装 
    • 批号2023+ 
    • 原装现货大量库存 低价出售 欢迎加Q详谈
    • QQ:498361569QQ：498361569 复制
      QQ:389337416QQ：389337416 复制
    • 0755-13631573466 QQ:498361569QQ:389337416
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    • 深圳市富科达科技有限公司

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    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263(D2PAK) 
    • 批号2020+ 
    • 全新原装进口现货特价热卖,长期供应."
    • QQ:1220223788QQ：1220223788 复制
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    • 86-0755-28767101 QQ:1220223788QQ:1327510916
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    • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量30000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装D2-PAKTO-263 
    • 批号24+ 
    • 优势供应 实单必成 可13点增值税
    • QQ:2885648621QQ：2885648621 复制
    • 0755-23616725 QQ:2885648621
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    • 深圳市宇川湘科技有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量23000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装原封装 
    • 批号23+ 
    • 原装正品现货，郑重承诺只做原装！
    • QQ:2885348305QQ：2885348305 复制
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    • 0755-84534256 QQ:2885348305QQ:2885348305
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    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量20000 
    • 厂家Fairchild 
    • 封装TO-263 
    • 批号22+ 
    • 深圳现货库存，保证原装正品
    • QQ:1940213521QQ：1940213521 复制
    • 15973558688 QQ:1940213521
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量8000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOT-263 
    • 批号21+ 
    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量25000 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂外观 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • FDB6021P
    • 数量8769 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量8769 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • FDB6021P_Q
    • 数量25000 
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量8769 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    • 数量8769 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装TO-263 
    • 批号 
    • 全新原装部分现货其他订货
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    产品型号FDB6021P的概述

    FDB6021P 芯片概述 FDB6021P 是一款高度集成的功率 MOSFET，广泛应用于开关电源和其他功率管理应用中。它由 Fairchild Semiconductor（现为 ON Semiconductor 的一部分）制造，旨在提供高效率和低功耗性能。该芯片采用增强型 N 沟道 MOSFET 设计，具有低导通电阻和快速开关特性，使其非常适合用于电源转换和电机驱动器等领域。 这款芯片的设计是为了在满足高功率密度的同时，最大限度地减少热损耗。在现代电子设备中，能效和散热性能越来越受到重视，FDB6021P 的设计理念恰好迎合了这一趋势。它可以在较高频率下稳定工作，适用于多种工业和消费类应用。 FDB6021P的详细参数 FDB6021P 的主要技术参数如下： 1. 最大漏极源极电压 (Vds): 60V 2. 最大连续漏极电流 (Id): 50A 3. 脉冲漏极电流 (Id,pul...

    产品型号FDB6021P的Datasheet PDF文件预览

    April 2001  
    PRELIMINARY  
    FDP6021P/FDB6021P  
    20V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET  
    General Description  
    Features  
    This P-Channel power MOSFET uses Fairchild’s low  
    voltage PowerTrench process. It has been optimized for  
    power management applications.  
    • –28 A, –20 V. RDS(ON) = 30 mΩ @ VGS = 4.5 V  
    RDS(ON) = 40 mΩ @ VGS = 2.5 V  
    DS(ON) = 65 mΩ @ VGS = 1.8 V  
    R
    Applications  
    • Critical DC electrical parameters specified at  
    • Battery management  
    • Load switch  
    elevated temperature  
    • High performance trench technology for extremely  
    • Voltage regulator  
    low RDS(ON)  
    • 175°C maximum junction temperature rating  
    .
    S
    D
    G
    G
    G
    S
    TO-263AB  
    FDB Series  
    TO-220  
    FDP Series  
    D
    S
    D
    Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
    Symbol  
    VDSS  
    Parameter  
    Drain-Source Voltage  
    Ratings  
    Units  
    –20  
    V
    V
    A
    VGSS  
    Gate-Source Voltage  
    ± 8  
    –28  
    ID  
    Drain Current – Continuous  
    – Pulsed  
    (Note 1)  
    (Note 1)  
    –80  
    PD  
    37  
    W
    W°C  
    °C  
    Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
    0.25  
    Derate above 25°C  
    Operating and Storage Junction Temperature Range  
    TJ, TSTG  
    –65 to +175  
    Thermal Characteristics  
    RθJC  
    Thermal Resistance, Junction-to-Case  
    4
    °C/W  
    °C/W  
    RθJA  
    Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
    62.5  
    Package Marking and Ordering Information  
    Device Marking  
    FDP6021P  
    Device  
    Reel Size  
    Tube  
    Tape width  
    n/a  
    24mm  
    Quantity  
    45  
    800 units  
    FDP6021P  
    FDB6021P  
    FDB6021P  
    13”  
    FDP6021P/FDB6021P Rev B(W)  
    2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
    Electrical Characteristics  
    TA = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min Typ Max Units  
    Off Characteristics  
    BVDSS  
    Drain–Source Breakdown Voltage  
    –20  
    V
    V
    GS = 0 V, ID = –250 µA  
    Breakdown Voltage Temperature  
    Coefficient  
    –16  
    ∆BVDSS  
    ∆TJ  
    ID = –250 µA,Referenced to 25°C  
    mV/°C  
    IDSS  
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    Gate–Body Leakage, Forward  
    Gate–Body Leakage, Reverse  
    VDS = –16 V, VGS = 0 V  
    –1  
    µA  
    nA  
    nA  
    IGSSF  
    IGSSR  
    VGS = 8 V,  
    VGS = –8 V  
    VDS = 0 V  
    VDS = 0 V  
    100  
    –100  
    On Characteristics  
    (Note 2)  
    VGS(th)  
    Gate Threshold Voltage  
    –0.4  
    –40  
    –0.7  
    3
    –1.5  
    V
    V
    DS = VGS, ID = –250 µA  
    Gate Threshold Voltage  
    Temperature Coefficient  
    ∆VGS(th)  
    ∆TJ  
    ID = –250 µA,Referenced to 25°C  
    mV/°C  
    mΩ  
    RDS(on)  
    Static Drain–Source  
    On–Resistance  
    VGS = –4.5 V, ID = –14 A  
    VGS = –2.5 V, ID = –12 A  
    V
    24  
    31  
    50  
    30  
    30  
    40  
    65  
    42  
    GS = –1.8 V, ID = –10 A  
    VGS= –4.5V, ID = –14 A, TJ=125°C  
    ID(on)  
    gFS  
    On–State Drain Current  
    VGS = –4.5 V, VDS = –5 V  
    A
    S
    Forward Transconductance  
    VDS = –5 V,  
    ID = –14 A  
    33  
    Dynamic Characteristics  
    Ciss  
    Coss  
    Crss  
    Input Capacitance  
    1890  
    302  
    pF  
    pF  
    pF  
    VDS = –10 V,  
    f = 1.0 MHz  
    V GS = 0 V,  
    Output Capacitance  
    Reverse Transfer Capacitance  
    124  
    Switching Characteristics (Note 2)  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    Turn–On Delay Time  
    Turn–On Rise Time  
    Turn–Off Delay Time  
    Turn–Off Fall Time  
    Total Gate Charge  
    Gate–Source Charge  
    Gate–Drain Charge  
    13  
    10  
    80  
    50  
    20  
    4
    23  
    20  
    ns  
    ns  
    VDD = –10 V,  
    VGS = –4.5 V,  
    ID = –1 A,  
    RGEN = 6 Ω  
    128  
    80  
    ns  
    ns  
    Qg  
    Qgs  
    Qgd  
    28  
    nC  
    nC  
    nC  
    VDS = –10 V,  
    ID = –14 A,  
    V
    GS = –4.5 V  
    7
    Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
    IS  
    Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
    –28  
    –1.3  
    A
    V
    VSD  
    Drain–Source Diode Forward  
    Voltage  
    VGS = 0 V, IS = –14 A  
    –0.9  
    Notes:  
    1. Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%  
    2. TO-220 package is supplied in tube / rail @ 45 pieces per rail.  
    3. Calculated continuous current based on maximum allowable junction temperature. Actual maximum continuous current limited by package constraints to 75A  
    FDP6021P/FDB6021P Rev. B(W)  
    Typical Characteristics  
    40  
    2.4  
    2.2  
    2
    VGS = -4.5V  
    -3.5V  
    -3.0V  
    -2.5V  
    VGS = -1.8V  
    30  
    20  
    10  
    0
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1
    -2.0V  
    -2.0V  
    -1.8V  
    -2.5V  
    -3.0V  
    20  
    -3.5V  
    -4.5V  
    -1.5V  
    4
    0.8  
    0
    10  
    30  
    40  
    0
    1
    2
    3
    5
    -ID, DRAIN CURRENT (A)  
    -VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 1. On-Region Characteristics.  
    Figure 2. On-Resistance Variation with  
    Drain Current and Gate Voltage.  
    1.5  
    1.4  
    1.3  
    1.2  
    1.1  
    1
    0.09  
    0.07  
    0.05  
    0.03  
    0.01  
    ID = -14A  
    VGS = -4.5V  
    ID = -7A  
    TA = 125oC  
    0.9  
    0.8  
    0.7  
    TA = 25oC  
    -50  
    -25  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    175  
    1
    2
    3
    4
    5
    TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
    -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 3. On-Resistance Variation  
    withTemperature.  
    Figure 4. On-Resistance Variation with  
    Gate-to-Source Voltage.  
    100  
    30  
    25  
    20  
    15  
    10  
    5
    VGS = 0V  
    VDS = -5V  
    25oC  
    125oC  
    TA = -55oC  
    10  
    TA = 125oC  
    1
    25oC  
    0.1  
    0.01  
    0.001  
    -55oC  
    0.0001  
    0
    0
    0.2  
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1
    1.2  
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    -VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
    -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 5. Transfer Characteristics.  
    Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation  
    with Source Current and Temperature.  
    FDP6021P/FDB6021P Rev. B(W)  
    Typical Characteristics  
    5
    3000  
    2500  
    2000  
    1500  
    1000  
    500  
    ID =-14A  
    -10V  
    VDS = -5V  
    f = 1MHz  
    GS = 0 V  
    V
    4
    3
    2
    1
    0
    CISS  
    -15V  
    COSS  
    CRSS  
    0
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    Qg, GATE CHARGE (nC)  
    -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 7. Gate Charge Characteristics.  
    Figure 8. Capacitance Characteristics.  
    100  
    10  
    1
    1000  
    RDS(ON) LIMIT  
    100µs  
    SINGLE PULSE  
    RθJC = 4°C/W  
    800  
    600  
    400  
    200  
    0
    T
    A = 25°C  
    1ms  
    10ms  
    100ms  
    1s  
    DC  
    VGS = -4.5V  
    SINGLE PULSE  
    RθJC = 4oC/W  
    T
    A = 25oC  
    1
    10  
    100  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    -VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
    t1, TIME (sec)  
    Figure 9. Maximum Safe Operating Area.  
    Figure 10. Single Pulse Maximum  
    Power Dissipation.  
    1
    D = 0.5  
    RθJA(t) = r(t) + RθJA  
    RθJC = 4 °C/W  
    0.2  
    0.1  
    P(pk)  
    0.05  
    0.1  
    t1  
    0.02  
    0.01  
    t2  
    J - TA = P * RθJA(t)  
    Duty Cycle, D = t1 / t2  
    T
    SINGLE PULSE  
    0.01  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    Figure 11. Transient Thermal Response Curve.  
    FDP6021P/FDB6021P Rev. B(W)  
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    配单直通车
    FDB6021P产品参数
    型号:FDB6021P
    是否无铅： 不含铅
    生命周期：Active
    零件包装代码：D2PAK
    包装说明：TO-263AB, 3 PIN
    针数：4
    Reach Compliance Code：unknown
    风险等级：5.37
    外壳连接：DRAIN
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：20 V
    最大漏极电流 (ID)：28 A
    最大漏源导通电阻：0.03 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JEDEC-95代码：TO-263AB
    JESD-30 代码：R-PSSO-G2
    湿度敏感等级：NOT SPECIFIED
    元件数量：1
    端子数量：2
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：P-CHANNEL
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：80 A
    认证状态：COMMERCIAL
    表面贴装：YES
    端子面层：NOT SPECIFIED
    端子形式：GULL WING
    端子位置：SINGLE
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
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