FDB8880产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 54A TO-263AB

详细描述：表面贴装 N 沟道 30V 11A（Ta），54A（Tc） 55W（Tc） TO-263AB

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：最後搶購

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：11A（Ta），54A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：11.6 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：29nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1240pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：55W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：TO-263AB

封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

标准包装：800

其它名称：FDB8880-ND FDB8880TR