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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 12V 6A SSOT-6
详细描述:表面贴装 P 沟道 12V 6A(Ta) 1.6W(Ta) SuperSOT™-6
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench®
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET 类型:P 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):12V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):26 毫欧 @ 6A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):25nC @ 4.5V
Vgs(最大值):±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1699pF @ 6V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.6W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:SuperSOT™-6
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准包装:3,000
其它名称:FDC606P-ND FDC606PTR
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