FDC6301N产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SSOT6

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 220mA 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：220mA

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：4 欧姆 @ 400mA，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：0.7nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：9.5pF @ 10V

功率 - 最大值：700mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商器件封装：SuperSOT™-6

标准包装：3,000

其它名称：FDC6301NTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）