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    FDC6306P产品参数和技术文档

    FDC6306P产品图

    FDC6306P产品参考价格

    价格分段
    单价(USD)
    总价格(USD)
    1
    0.50000
    $0.50
    10
    0.42300
    $4.23
    100
    0.31700
    $31.70
    500
    0.23246
    $116.23
    1,000
    0.17963
    $179.63

    FDC6306P产品参数

    品牌：ON Semiconductor

    描述：MOSFET 2P-CH 20V 1.9A SSOT6

    详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 1.9A 700mW Surface Mount SuperSOT™-6

    制造商：ON Semiconductor

    系列：PowerTrench®

    包装：Digi-Reel®

    零件状态：在售

    FET 类型：2 个 P 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：20V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：1.9A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：170 毫欧 @ 1.9A，4.5V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：4.2nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：441pF @ 10V

    功率 - 最大值：700mW

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

    供应商器件封装：SuperSOT™-6

    标准包装：1

    其它名称：FDC6306PDKR

    •  
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