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  • 深圳市品德冠科技有限公司

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FDC655BN产品参数
型号:FDC655BN
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
制造商包装代码:419BL
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.9
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/1059581.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=1059581
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=1059581
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=1059581
Samacsys PartID:1059581
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FDC655BN.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FDC655BN.jpg
Samacsys Pin Count:6
Samacsys Part Category:MOSFET (N-Channel)
Samacsys Package Category:SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name:sot-23
Samacsys Released Date:2019-09-18 14:16:04
Is Samacsys:N
其他特性:ULTRA-LOW RESISTANCE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.3 A
最大漏极电流 (ID):6.3 A
最大漏源导通电阻:0.025 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):90 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):1.6 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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