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FDD4243产品参数
型号:FDD4243
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-XSSO-G2
制造商包装代码:369AS
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.96
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=849321
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=849321
Samacsys PartID:849321
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FDD4243.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FDD4243.jpg
Samacsys Pin Count:3
Samacsys Part Category:MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category:Other
Samacsys Footprint Name:DPAK3 (TO?252 3 LD) CASE 369AS ISSUE O_FFW-2
Samacsys Released Date:2019-04-01 10:46:24
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):84 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:40 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):14 A
最大漏极电流 (ID):6.7 A
最大漏源导通电阻:0.064 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-XSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):42 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):60 A
认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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