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  • 深圳市创思克科技有限公司

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  • FDD6504P
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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
  • 封装D-PAKTO-252 
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    FDD6504相关文章

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FDD6512A产品参数
型号:FDD6512A
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:TO-252
包装说明:DPAK-3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.36
雪崩能效等级(Eas):90 mJ
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):10.7 A
最大漏源导通电阻:0.021 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-252
JESD-30 代码:R-PSSO-G2
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:2
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):100 A
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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