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FDD6512A产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 20V 10.7A D-PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 20V 10.7A(Ta),36A(Tc) 3.8W(Ta),43W(Tc) D-PAK(TO-252)

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):20V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10.7A(Ta),36A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):21 毫欧 @ 10.7A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):19nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±12V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1082pF @ 10V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):3.8W(Ta),43W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D-PAK(TO-252)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

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