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型号: 厂家: 批号:封装: 型号完全相同
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  • 深圳市汇莱威科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD 
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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 首天国际(深圳)集团有限公司

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  • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市宇集芯电子有限公司

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FDD6670AL产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 84A D-PAK

详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 84A(Ta) 83W(Ta) D-PAK(TO-252)

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):84A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5 毫欧 @ 18A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):56nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3845pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):83W(Ta)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:D-PAK(TO-252)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

标准包装:2,500

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