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| 型号: | FDFMA2P853T |
| 是否无铅： | 不含铅 |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| 包装说明： | 2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, THIN, MICRO-6 |
| 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.12 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-C6 |
| JESD-609代码： | e4 |
| 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A |
| 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式： | C BEND |
| 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
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