FDFS2P102产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 3.3A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 P 沟道 20V 3.3A（Ta） 900mW（Ta） 8-SO

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.3A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：125 毫欧 @ 3.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：10nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：270pF @ 10V

FET 功能：肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：900mW（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：2,500

其它名称：FDFS2P102_NL FDFS2P102_NLTR FDFS2P102_NLTR-ND FDFS2P102TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）