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  • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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产品型号FDG328P的概述

FDG328P芯片概述 FDG328P是一款经济型N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源以及各种电子产品中的高频开关控制。这款芯片具有低导通电阻、高开关速度和优越的热管理性能,使其在众多应用中成为一种可靠的选择。FDG328P的设计旨在满足高效率电源系统的需求,尤其在提升系统性能和节能方面表现突出。 FDG328P的详细参数 FDG328P芯片的主要电气参数包括但不限于: - 类型:N沟道MOSFET - 最大漏极电压(V_DS):30V - 最大漏极电流(I_D):70A - 导通电阻(R_DS(on)):在4.5V栅极电压下为≤ 10 mΩ - 栅极阈值电压(V_GS(th)):2V到4V - 最大功耗(P_D):150W - 工作温度范围:-55°C到+150°C - 封装类型:TO-252 - 栅极电荷(Q_G):50nC(在10V的栅极驱动下) 这些参数显...

产品型号FDG328P的Datasheet PDF文件预览

October 2000  
FDG328P  
P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET  
General Description  
Features  
This P-Channel 2.5V specified MOSFET is produced in  
a rugged gate version of Fairchild Semiconductor’s  
advanced PowerTrench process. It has been optimized  
for power management applications for a wide range of  
gate drive voltages (2.5V – 12V).  
–1.5 A, –20 V. RDS(ON) = 0.145 @ VGS = –4.5 V  
RDS(ON) = 0.210 @ VGS = –2.5 V  
Low gate charge  
High performance trench technology for extremely  
low RDS(ON)  
Applications  
Load switch  
Compact industry standard SC70-6 surface mount  
package  
Power management  
DC/DC converter  
S
D
1
2
3
6
5
4
D
G
D
Pin 1  
D
SC70-6  
Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
Symbol  
VDSS  
Parameter  
Drain-Source Voltage  
Ratings  
Units  
V
–20  
VGSS  
ID  
Gate-Source Voltage  
V
A
± 12  
–1.5  
Drain Current – Continuous  
– Pulsed  
(Note 1a)  
–6  
PD  
Power Dissipation for Single Operation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
0.75  
W
0.48  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
(Note 1b)  
260  
RθJA  
°C/W  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Reel Size  
Tape width  
Quantity  
.28  
FDG328P  
7’’  
8mm  
3000 units  
FDG328P Rev C(W)  
2000 Fairchild Semiconductor International  
Electrical Characteristics  
TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min Typ Max Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain–Source Breakdown Voltage  
–20  
V
V
GS = 0 V, ID = –250 µA  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
–9  
BVDSS  
TJ  
ID = –250 µA, Referenced to 25°C  
mV/°C  
IDSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate–Body Leakage, Forward  
Gate–Body Leakage, Reverse  
VDS = –16 V, VGS = 0 V  
–1  
µA  
nA  
nA  
IGSSF  
IGSSR  
VGS = 12 V,  
VDS = 0 V  
100  
VGS = –12 V, VDS = 0 V  
–100  
On Characteristics  
(Note 2)  
VGS(th)  
Gate Threshold Voltage  
–0.6  
–3  
–1.5  
V
V
DS = VGS, ID = –250 µA  
Gate Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
3
VGS(th)  
TJ  
ID = –250 µA, Referenced to 25°C  
mV/°C  
RDS(on)  
Static Drain–Source  
On–Resistance  
VGS = –4.5 V,  
VGS = –2.5 V,  
VGS = –4.5 V, ID = –1.5 A, TJ=125°C  
ID = –1.5 A  
ID = –1.2 A  
120  
169  
156  
145  
210  
203  
mΩ  
ID(on)  
gFS  
On–State Drain Current  
VGS = –4.5 V,  
VDS = –5 V  
A
S
Forward Transconductance  
VDS = –5 V,  
ID = –1.5 A  
5
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
337  
pF  
pF  
pF  
VDS = –10 V, V GS = 0 V,  
f = 1.0 MHz  
Output Capacitance  
88  
51  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics (Note 2)  
V
DD = –10 V, ID = 1 A,  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn–On Delay Time  
Turn–On Rise Time  
Turn–Off Delay Time  
Turn–Off Fall Time  
Total Gate Charge  
Gate–Source Charge  
Gate–Drain Charge  
9
18  
ns  
ns  
VGS = –4.5 V, RGEN = 6 Ω  
12  
10  
5
22  
20  
10  
6
ns  
ns  
V
DS = –10 V, ID = –1.5 A,  
Qg  
Qgs  
Qgd  
3.7  
0.7  
1.3  
nC  
nC  
nC  
VGS = –4.5 V  
Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
IS  
Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
–0.62  
–1.2  
A
V
VSD  
Drain–Source Diode Forward  
Voltage  
VGS = 0 V, IS = –0.62 A (Note 2)  
–0.7  
Notes:  
1. RθJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of  
the drain pins. RθJC is guaranteed by design while RθCA is determined by the user's board design.  
a.) 170°/W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz. copper.  
b.) 260°/W when mounted on a minimum pad.  
2. Pulse Test: Pulse Width < 300µs, Duty Cycle < 2.0%  
FDG328P Rev C(W)  
Typical Characteristics  
2.5  
2.25  
2
6
VGS = -4.5V  
-3.5V  
5
4
3
2
1
0
-2.5V  
VGS = -2.0V  
-3.0V  
1.75  
1.5  
-2.5V  
-2.0V  
-3.0V  
1.25  
1
-1.8V  
-3.5V  
-4.5V  
5
0.75  
0
1
2
3
4
6
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
-ID, DRAIN CURRENT (A)  
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
Characteristics  
Current  
0.4  
1.5  
ID = -0.8 A  
ID = -1.5A  
VGS = -4.5V  
1.4  
1.3  
1.2  
1.1  
1
0.35  
0.3  
0.25  
0.2  
TA = 125oC  
0.15  
0.1  
0.9  
0.8  
0.7  
TA = 25oC  
0.05  
-50  
-25  
0
25  
50  
75  
100  
125  
150  
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
4.5  
5
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 3. On-Resistance Variation  
withTemperature.  
Figure 4. On-Resistance Variation with  
Gate-to-Source Voltage.  
10  
6
VGS = 0V  
TA = -55oC  
VDS = -5V  
25oC  
125oC  
5
4
3
2
1
0
1
TA = 125oC  
25oC  
0.1  
-55oC  
0.01  
0.001  
0.0001  
0
0.2  
0.4  
0.6  
0.8  
1
1.2  
1.4  
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
-VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 5. Transfer Characteristics.  
Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation  
with Source Current and Temperature.  
Typical Characteristics  
FDG328P Rev C(W)  
5
4
3
2
1
0
600  
500  
400  
300  
200  
100  
0
VDS = -  
ID = -1.5A  
f = 1MHz  
GS = 0 V  
-10V  
V
-15V  
CISS  
COSS  
CRSS  
0
1
2
3
4
5
0
5
10  
15  
20  
Qg, GATE CHARGE (nC)  
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Figure 7. Gate Charge Characteristics.  
Figure 8. Capacitance Characteristics.  
100  
30  
24  
18  
12  
6
SINGLE PULSE  
RθJA = 260oC/W  
T
A = 25oC  
RDS(ON) LIMIT  
100µs  
10  
1
1ms  
10ms  
100ms  
1s  
VGS = -4.5V  
SINGLE PULSE  
RθJA = 260oC/W  
DC  
0.1  
T
A = 25oC  
0.01  
0
0.1  
1
10  
100  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
-VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
SINGLE PULSE TIME (SEC)  
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.  
Figure 10. Single Pulse Maximum  
Power Dissipation.  
1
D = 0.5  
R
θJA(t) = r(t) + RθJA  
RθJA = 260 °C/W  
0.2  
0.1  
0.1  
0.05  
P(pk)  
0.02  
0.01  
t1  
T
J - TA = P * RθJA(t)  
t2  
0.01  
Duty Cycle, D = t1 / t2  
SINGLE PULSE  
0.001  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
100  
1000  
t1, TIME (sec)  
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.  
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.  
Transient themal response will change depending on the circuit board design.  
FDG328P Rev C(W)  
TRADEMARKS  
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not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
PowerTrench  
QFET™  
QS™  
SyncFET™  
TinyLogic™  
UHC™  
ACEx™  
FASTr™  
GlobalOptoisolator™  
GTO™  
Bottomless™  
CoolFET™  
CROSSVOLT™  
DOME™  
QT Optoelectronics™  
VCX™  
HiSeC™  
Quiet Series™  
SILENT SWITCHER  
SMART START™  
SuperSOT™-3  
SuperSOT™-6  
SuperSOT™-8  
ISOPLANAR™  
MICROWIRE™  
OPTOLOGIC™  
OPTOPLANAR™  
PACMAN™  
POP™  
E2CMOSTM  
EnSignaTM  
FACT™  
FACT Quiet Series™  
FAST  
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DEVICES OR SYSTEMS WITHOUTTHE EXPRESS WRITTENAPPROVALOF FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION.  
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systems which, (a) are intended for surgical implant into  
the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose  
failure to perform when properly used in accordance  
with instructions for use provided in the labeling, can be  
reasonably expected to result in significant injury to the  
user.  
2. A critical component is any component of a life  
support device or system whose failure to perform can  
be reasonably expected to cause the failure of the life  
support device or system, or to affect its safety or  
effectiveness.  
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Definition of Terms  
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product development. Specifications may change in  
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Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
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Full Production  
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any time without notice in order to improve design.  
Not In Production  
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that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
The datasheet is printed for reference information only.  
Rev. G  
配单直通车
FDG328P产品参数
型号:FDG328P
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
零件包装代码:SC-70
包装说明:SC-70, 6 PIN
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.2
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):1.5 A
最大漏源导通电阻:0.145 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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