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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • ▉▉¥6.5元一有问必回一有长期订货一备货HK仓库
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  • 深圳市芯脉实业有限公司

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  • 深圳市宏捷佳电子科技有限公司

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  • 深圳市三得电子有限公司

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  • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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  • 批号最新批号 
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  • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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  • 深圳市珩瑞科技有限公司

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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市诚达吉电子有限公司

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  • 数量4283 
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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市特拉特科技有限公司

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  • 原装现货,优势库存,当天可发货
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  • 深圳市隆鑫创展电子有限公司

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  • 数量30000 
  • 厂家MEGAPOWER 
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产品型号FDMA1023PZ的概述

芯片FDMA1023PZ概述 FDMA1023PZ是一种高性能集成电路,广泛应用于无线通信、信号处理以及电子设备中。作为一种高度集成的芯片,FDMA1023PZ在性能和功耗方面都呈现出良好的平衡,适用于各种复杂的应用场景。其设计重点在于提高信号传输效率,降低干扰,并增强系统的稳定性和可靠性。 该芯片采用先进的工艺制造,以支持其在高频和高带宽条件下正常运行。FDMA1023PZ特别适用于FDMA(频分多址)技术,这使得它在多用户环境中能够有效分配和管理频谱资源,从而提高通信质量和系统容量。无论是为传统模拟信号处理还是数字信号处理提供支持,FDMA1023PZ都展现了出色的灵活性。 芯片FDMA1023PZ的详细参数 FDMA1023PZ的技术规格和参数如下: - 工作电压:3.3V ± 10% - 工作温度范围:-40°C 到 +85°C - 最大功耗:200mW(在全负载情况下) - ...

产品型号FDMA1023PZ的Datasheet PDF文件预览

March 2007  
FDMA1023PZ  
Dual P-Channel PowerTrench® MOSFET  
–20V, –3.7A, 72mΩ  
Features  
General Description  
„ Max rDS(on) = 72mΩ at VGS = –4.5V, ID = –3.7A  
„ Max rDS(on) = 95mΩ at VGS = –2.5V, ID = –3.2A  
„ Max rDS(on) = 130mΩ at VGS = –1.8V, ID = –2.0A  
„ Max rDS(on) = 195mΩ at VGS = –1.5V, ID = –1.0A  
This device is designed specifically as a single package solution  
for the battery charge switch in cellular handset and other ultra-  
portable applications. It features two independent P-Channel  
MOSFETs with low on-state resistance for minimum conduction  
losses. When connected in the typical common source  
configuration, bi-directional current flow is possible.  
„ Low profile - 0.8 mm maximum - in the new package  
MicroFET 2x2 mm  
The MicroFET 2X2 package offers exceptional thermal  
performance for its physical size and is well suited to linear mode  
applications.  
„ RoHS Compliant  
Pin 1  
S1  
G1  
D2  
6
D1  
G2  
S2  
S1  
1
2
3
D1  
D2  
5
4
G1  
D2  
D1  
S2  
G2  
MicroFET 2X2  
MOSFET Maximum Ratings TA = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
VDS  
VGS  
Parameter  
Ratings  
–20  
±8  
Units  
Drain to Source Voltage  
Gate to Source Voltage  
Drain Current -Continuous  
-Pulsed  
V
V
(Note 1a)  
–3.7  
–6  
ID  
A
1.5  
Power Dissipation  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
PD  
W
0.7  
TJ, TSTG  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
–55 to +150  
°C  
Thermal Characteristics  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
RθJA  
Thermal Resistance for Single Operation, Junction to Ambient  
(Note 1a)  
(Note 1b)  
(Note 1c)  
(Note 1d)  
86  
173  
69  
Thermal Resistance for Single Operation, Junction to Ambient  
Thermal Resistance for Single Operation, Junction to Ambient  
Thermal Resistance for Single Operation, Junction to Ambient  
°C/W  
151  
Package Marking and Ordering Information  
Device Marking  
Device  
Package  
Reel Size  
7”  
Tape Width  
8mm  
Quantity  
023  
FDMA1023PZ  
MicroFET 2X2  
3000 units  
1
©2007 Fairchild Semiconductor Corporation  
FDMA1023PZ Rev.B  
www.fairchildsemi.com  
Electrical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Units  
Off Characteristics  
BVDSS  
Drain to Source Breakdown Voltage  
ID = –250μA, VGS = 0V  
–20  
V
ΔBVDSS  
ΔTJ  
Breakdown Voltage Temperature  
Coefficient  
ID = –250μA, referenced to 25°C  
–11  
mV/°C  
IDSS  
IGSS  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate to Source Leakage Current  
VDS = –16V, VGS = 0V  
VGS = ±8V, VDS = 0V  
–1  
μA  
μA  
±10  
On Characteristics  
VGS(th)  
Gate to Source Threshold Voltage  
VGS = VDS, ID = –250μA  
–0.4  
–0.7  
2.5  
–1.5  
V
ΔVGS(th)  
ΔTJ  
Gate to Source Threshold Voltage  
Temperature Coefficient  
ID = –250μA, referenced to 25°C  
mV/°C  
VGS = –4.5V, ID = –3.7A  
VGS = –2.5V, ID = –3.2A  
VGS = –1.8V, ID = –2.0A  
VGS = –1.5V, ID = –1.0A  
VGS = –4.5V, ID = –3.7A,TJ =125°C  
VDS = –5V, ID = –3.7A  
60  
75  
72  
95  
rDS(on)  
Static Drain to Source On-Resistance  
Forward Transconductance  
100  
130  
81  
130  
195  
91  
mΩ  
gFS  
12  
S
Dynamic Characteristics  
Ciss  
Coss  
Crss  
Input Capacitance  
490  
100  
90  
655  
135  
135  
pF  
pF  
pF  
VDS = –10V, VGS = 0V,  
f = 1MHz  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
Switching Characteristics  
td(on)  
tr  
td(off)  
tf  
Turn-On Delay Time  
Rise Time  
9
18  
22  
ns  
ns  
VDD = –10V, ID = –1A  
VGS = –4.5V, RGEN = 6Ω  
12  
64  
37  
8.6  
0.7  
2.0  
Turn-Off Delay Time  
Fall Time  
103  
60  
ns  
ns  
Qg(TOT)  
Qgs  
Qgd  
Total Gate Charge  
Gate to Source Gate Charge  
Gate to Drain “Miller” Charge  
12  
nC  
nC  
nC  
VDD = –10V, ID = –3.7A  
VGS = –4.5V  
Drain-Source Diode Characteristics  
IS  
Maximum Continuous Drain-Source Diode Forward Current  
–1.1  
–1.2  
48  
A
V
VSD  
trr  
Source to Drain Diode Forward Voltage  
Reverse Recovery Time  
VGS = 0V, IS = –1.1A (Note 2)  
–0.8  
32  
ns  
nC  
IF = –3.7A, di/dt = 100A/μs  
Qrr  
Reverse Recovery Charge  
15  
23  
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2
FDMA1023PZ Rev.B  
Notes:  
1: R  
user's board design.  
2
is determined with the device mounted on a 1 in oz. copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R is guaranteed by design while R is determined by the  
θJA  
θJA  
θJC  
2
(a) R  
= 86°C/W when mounted on a 1in pad of 2 oz copper, 1.5" x 1.5" x 0.062" thick PCB  
θJA  
θJA  
(b) R  
= 173°C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper  
o
2
(c) R  
(d) R  
= 69 C/W when mounted on a 1in pad of 2 oz copper, 1.5” x 1.5” x 0.062” thick PCB.  
θJA  
o
= 151 C/W when mounted on a minimum pad of 2 oz copper.  
θJA  
o
o
o
d)151 C/W  
o
b)173 C/W  
c)69 C/W when  
mounted on  
a)86 C/W  
when mounted  
on a minimum  
pad of  
copper.  
when mounted  
on a minimum  
pad of  
copper.  
a
when mounted  
on a 1in pad of  
2 oz copper.  
2
2
1in pad of 2 oz  
copper.  
2 oz  
2 oz  
2: Pulse Test : Pulse Width < 300us, Duty Cycle < 2.0%  
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3
FDMA1023PZ Rev.B  
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
2.6  
2.2  
1.8  
1.4  
1.0  
0.6  
6
V
= -4.5V  
= -3.0V  
= -2.5V  
GS  
VGS = -1.5V  
V
V
GS  
5
4
3
2
1
0
GS  
GS  
V
V
= -2.0V  
= -1.8V  
VGS = -1.8V  
VGS = -2.0V  
GS  
V
= -1.5V  
GS  
VGS = -2.5V  
VGS = -3.0V  
PULSE DURATION = 300μs  
DUTY CYCLE = 2.0%MAX  
VGS = -4.5V  
PULSE DURATION = 300μs  
DUTY CYCLE = 2.0%MAX  
0
1
2
3
4
5
6
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
-I , DRAIN CURRENT(A)  
D
-V , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
DS  
Figure 1. On Region Characteristics  
Figure2. N o r m a l i z e d O n - R e s i s ta n c e  
vs Drain Current and Gate Voltage  
1.6  
200  
ID = -3.7A  
GS = -4.5V  
PULSE DURATION = 300μs  
DUTY CYCLE = 2.0%MAX  
I
D
= -1.85A  
V
1.4  
1.2  
1.0  
0.8  
0.6  
160  
120  
80  
T = 125oC  
J
T
J
= 25oC  
2
40  
-50 -25  
0
25  
50  
75  
100 125 150  
0
1
3
4
5
6
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
F ig u re 3. No rmal i zed O n-Re si stan ce  
vs Junction Temperature  
Figure4. On-Resistance vs Gate to  
Source Voltage  
6
10  
VGS = 0V  
PULSE DURATION = 300μs  
DUTY CYCLE = 2.0%MAX  
5
1
0.1  
T = 125oC  
VDD= -5V  
4
J
3
T
J
= 25oC  
T = 125oC  
J
2
T
= 25oC  
0.01  
J
T
= -55oC  
0.8  
J
1
0
T
J
= -55oC  
0.001  
0.0  
0.5  
1.0  
1.5  
2.0  
0.0  
0.2  
0.4  
0.6  
1.0  
1.2  
1.4  
-VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
-V , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
SD  
Figure 5. Transfer Characteristics  
Figure6. Source to Drain Diode  
Forward Voltage vs Source Current  
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4
FDMA1023PZ Rev.B  
Typical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
5
1000  
I
D
= -3.7A  
C
iss  
4
3
2
1
0
V
= -5V  
DD  
V
= -10V  
DD  
C
oss  
V
DD  
= -15V  
100  
40  
f = 1MHz  
= 0V  
C
rss  
V
GS  
20  
0.1  
1
10  
0
2
4
6
8
10  
-VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
Q , GATE CHARGE(nC)  
g
Figure 7. Gate Charge Characteristics  
Figure 8. Capacitance Characteristics  
20  
100  
VGS = -10V  
rDS(on) LIMIT  
10  
100us  
1ms  
FOR TEMPERATURES  
o
ABOVE 25 C DERATE PEAK  
CURRENT AS FOLLOWS:  
1
150 T  
10  
A
I = I  
-----------------------  
25  
125  
10ms  
V
=-4.5V  
o
GS  
100ms  
1s  
T = 25 C  
A
0.1  
0.01  
SINGLE PULSE  
SINGLE PULSE  
=173oC/W  
10s  
DC  
R
= 173oC/W  
R
θJA  
θJA  
T =25oC  
1
o
SINGLE PULSE  
A
T
= 25 C  
A
0.5  
10-4  
10-3  
10-2  
t, PULSE WIDTH (s)  
10-1  
100  
101  
102  
103  
60  
0.1  
1
10  
-V , DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
DS  
Figure 9. Forward Bias Safe  
Operating Area  
Figure10. Single Pulse Maximum  
Power Dissipation  
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER  
D = 0.5  
0.2  
0.1  
0.05  
0.02  
0.01  
P
DM  
0.1  
t
1
t
2
NOTES:  
DUTY FACTOR: D = t /t  
1
2
0.01  
PEAK T = P  
J
x Z  
x R  
+ T  
θJA A  
DM  
θJA  
SINGLE PULSE  
0.005  
10-4  
10-3  
10-2  
10-1  
100  
101  
102  
103  
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)  
Figure 11. Transient Thermal Response Curve  
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5
FDMA1023PZ Rev.B  
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6
FDMA1023PZ Rev.B  
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Rev. I24  
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配单直通车
FDMA1023PZ产品参数
型号:FDMA1023PZ
是否无铅: 不含铅
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active
包装说明:2 X 2 MM, ROHS COMPLIANT, MICROFET-6
针数:229
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.36
外壳连接:DRAIN
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):3.7 A
最大漏源导通电阻:0.072 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):135 pF
JEDEC-95代码:MO-229VCCC
JESD-30 代码:S-PDSO-N6
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:2
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:P-CHANNEL
认证状态:COMMERCIAL
表面贴装:YES
端子面层:NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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