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| 型号: | FDMA1028NZTR |
| 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active |
| IHS 制造商： | ON SEMICONDUCTOR |
| Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.068 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | MO-229VCCC |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N6 |
| 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.4 W |
| 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
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