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FDMA86108LZ产品参数
型号:FDMA86108LZ
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅: 不含铅
生命周期:Active
包装说明:SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
制造商包装代码:511CZ
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:26 weeks
风险等级:1.54
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):2.2 A
最大漏源导通电阻:0.243 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):5 pF
JESD-30 代码:S-PDSO-N6
JESD-609代码:e4
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.4 W
表面贴装:YES
端子面层:Nickel/Palladium/Gold/Silver (Ni/Pd/Au/Ag)
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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