FDMC8200产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A/12A POWER33

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8A, 12A 700mW, 900mW Surface Mount 8-Power33 (3x3)

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench?

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A，12A

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：10nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 15V

功率 - 最大值：700mW，900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerWDFN

供应商器件封装：8-Power33（3x3）

标准包装：3,000

其它名称：FDMC8200TR