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北京元坤伟业科技有限公司
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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWER33
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 9A(Ta),15A(Tc) 2.3W(Ta),18W(Tc) 8-MLP(3.3x3.3)
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench®
包装:带卷(TR)
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9A(Ta),15A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):19 毫欧 @ 9A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):14nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):685pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):2.3W(Ta),18W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-MLP(3.3x3.3)
封装/外壳:8-PowerWDFN
标准包装:3,000
其它名称:FDMC8884TR
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