芯片FDMS0308AS的概述
FDMS0308AS是一款高性能的N沟道MOSFET(绝缘栅电压场效应晶体管),广泛应用于电源管理、开关电路以及各种电气设备的功率转换中。该芯片特别适用于高效率的切换应用,因其卓越的开关速度和低导通电阻而受到设计工程师的广泛青睐。FDMS0308AS的设计使其能够承受较高的电压和电流,适用于苛刻的工作环境。
这一MOSFET的主要特点包括低栅极驱动电压要求和快速的开关特性,使得它在与其他元器件组合使用时,能够实现高效的能量管理。FDMS0308AS的封装形式为SO-8,有助于其在PCB上占用较少的空间,同时又保持了良好的散热性能。
芯片FDMS0308AS的详细参数
FDMS0308AS的主要电气参数如下:
- 漏源击穿电压(V_DS):最大可达30V - 漏极电流(I_D):最大值为8A - 栅极阈值电压(V_GS(th)):一般为1V到2.5V - 导通电阻(R_DS(on)):典型值为0.030Ω(在V_GS = 10V时) - 输入电容(C_iss):典型值为1200pF - 输出电容(C_oss):典型值为330pF - 反向恢复时间(t_rr):小于100ns - 最大功耗(P_D):最大值为1.2W(在25°C下)
这些参数表明FDMS0308AS在高频率和高功率应用中表现出色,能够为现代电子设备提供有效的功率管理解决方案。
芯片FDMS0308AS的厂家、包装、封装
FDMS0308AS由Fairchild Semiconductor(现为安森美半导体的一部分)生产。公司的长久历史和丰富的半导体制造经验为FDMS0308AS的质量提供了保证。FDMS0308AS采用SO-8封装,这种封装形式广泛应用于现代电子产品中,因为它占用空间小、便于散热,适合针对于空间和性能都有高要求的电路设计。
该芯片的包装通常为带卷塑料包装,固定在一个统一的卷轴上,方便自动化贴片机进行大规模生产,确保生产效率和一致性。
芯片FDMS0308AS的引脚和电路图说明
FDMS0308AS的引脚定义如下:
1. 引脚1:栅极(G) 2. 引脚2:漏极(D) 3. 引脚3:源极(S) 4. 引脚4:源极(S) 5. 引脚5:漏极(D) 6. 引脚6:栅极(G) 7. 引脚7:漏极(D) 8. 引脚8:源极(S)
这种双源极、双漏极的结构设计允许多个FDMS0308AS模块叠加在同一芯片上,以提高电流承载能力,或在电源管理的场合中实现成本效益的优化。在电路图中,FDMS0308AS通常以简单的MOSFET符号表示。其栅极连接到控制电路,此电路可通过控制信号来控制MOSFET的开启和关闭。
芯片FDMS0308AS的使用案例
FDMS0308AS在实际应用中的使用场景多种多样。以下是几个具体的应用案例:
1. 开关电源: 在开关电源设计中,FDMS0308AS可以作为主要的开关元件。当输入电压通过常开开关转化为输出电压时,FDMS0308AS会在开与关之间快速切换,极大地提高能效并减少热量损失。
2. 电池管理系统: 在电池管理系统中,FDMS0308AS可以根据电池的状态调节充电和放电的过程。使用FDMS0308AS能够降低充电和放电过程中的电阻,从而提高电池的使用效率和延长电池的寿命。
3. 直流-直流转换器: 如果在某个直流-直流转换器设计中需要对输入电压进行调节,则FDMS0308AS 可以作为关键的转换组件,帮助实现不同电压级别之间的无缝切换。
4. LED驱动器: 在LED驱动应用中,FDMS0308AS可以通过电流管理电路实现LED的恒流供电,确保LED以适当的亮度工作,从而延长其使用寿命。
5. 电机驱动: FDMS0308AS还可用于电机驱动电路。通过合理的控制信号,可以有效地控制电机的启停和转速,使其在自动化设备中发挥重要作用。
以上应用展示了FDMS0308AS在多个领域的灵活性和高效性,使其成为一种广泛适用的电子元件。持续的发展与应用使得FDMS0308AS在现代电子产品的设计中不可或缺,印证了其卓越的性能及适应能力。
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型号: | FDMS0308AS |
Brand Name: | Fairchild Semiconductor |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | QFN |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5 |
针数: | 8 |
制造商包装代码: | 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.67 |
雪崩能效等级(Eas): | 66 mJ |
外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 49 A |
最大漏极电流 (ID): | 24 A |
最大漏源导通电阻: | 0.0028 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | MO-240AA |
JESD-30 代码: | R-PDSO-F5 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 5 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 100 A |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES |
端子形式: | FLAT |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
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