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  • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市天宇豪科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 深圳市一呈科技有限公司

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FDMS8660S产品参数
型号:FDMS8660S
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-N8
针数:8
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.41
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):40 A
最大漏极电流 (ID):25 A
最大漏源导通电阻:0.0039 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-N8
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):83 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):200 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
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