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TYSEMI FDN338P
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SuperSOT-3
HTSEMI FDN338P
中文翻译
20 V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
20 V P沟道增强型MOSFET
FAIRCHILD FDN338P
中文翻译
P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
P沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管
晶体晶体管场效应晶体管
FAIRCHILD FDN338P_NL
中文翻译
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3
晶体晶体管场效应晶体管
FAIRCHILD FDN338PS62Z Small Signal Field-Effect Transistor, 1.6A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SUPERSOT-3
开关光电二极管晶体管
更多FDN338P资料...

FDN338P详细参数

Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
零件包装代码
SSOT
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数
3
制造商包装代码
MOLDED PACKAGE, SUPERSOT, 3 LEAD
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.21.00.95
风险等级
3.3
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
1.6 A
最大漏极电流 (ID)
1.6 A
最大漏源导通电阻
0.115 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G3
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.5 W
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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