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    FDN361BNMOS相关文章

配单直通车
FDN363N产品参数
型号:FDN363N
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOT
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3
制造商包装代码:SUPERSOT
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.35
雪崩能效等级(Eas):8.5 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):1 A
最大漏源导通电阻:0.24 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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