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FDP6676J69Z产品参数
型号:FDP6676J69Z
生命周期:Obsolete
零件包装代码:SFM
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.72
雪崩能效等级(Eas):370 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (ID):75 A
最大漏源导通电阻:0.006 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):240 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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