芯片FDP7030BL的概述
FDP7030BL是一种高效能的功率MOSFET,常用于各种工业和消费电子应用。它的设计旨在提供优秀的电性能,具有较低的导通电阻和快速的开关速度,非常适合用于开关电源、DC-DC转换器、以及电机驱动等领域。该组件在提高效率、降低散热及降低能耗方面表现出色,因此在设计现代电子产品时受到广泛关注。
芯片FDP7030BL的详细参数
FDP7030BL的具体参数如下:
- 最大漏源电压(V_DS): 30V - 最大连续漏电流(I_D): 70A - 最大功耗(P_D): 94W - 导通电阻(R_DS(on)): 0.025Ω(典型值,V_GS = 10V) - 门源阈值电压(V_GS(th)): 1V - 2.5V - 电源电压: 10V - 20V - 工作温度范围: -55°C to +170°C - 封装类型: TO-220
根据这些参数,FDP7030BL能在高负载条件下提供可靠的性能,并广泛应用于高功率、低电压环境中。
芯片FDP7030BL的厂家、包装、封装
FDP7030BL由国际知名半导体厂家Produced by Fairchild Semiconductor(现为安森美半导体)生产。它采用了TO-220封装,具有较好的散热性能。在此封装中,芯片固定在金属壳体内,能够通过外部散热片有效地排除热量,从而提高MOSFET的工作稳定性和可靠性。
芯片FDP7030BL的引脚和电路图说明
FDP7030BL的TO-220封装通常有三个引脚,具体引脚排列如下:
1. 引脚1: 门极(Gate,G) 2. 引脚2: 漏极(Drain,D) 3. 引脚3: 源极(Source,S)
电路图的简单示例如下:
+-----+ Gate ----| |---- Drain | FDP | Source --| 7030| +-----+
在电路中,门极通过适当的驱动电路与控制信号相连,以控制MOSFET的开关状态。而漏极和源极分别连接于电源和负载,确保电流的流通。
芯片FDP7030BL的使用案例
FDP7030BL作为一种优质的功率MOSFET,应用案例丰富,下面列举几个具体应用场景:
1. 开关电源: 在开关电源设计中使用FDP7030BL能够有效降低损耗。其低导通电阻意味着在大电流流过时产生的热量较少,在可以更小的散热片帮助散热,将能效提升至极致。
2. DC-DC转换器: 在DC-DC转换器中,FDP7030BL常被用作主开关器件。其快速的开关能力加上低开关损耗,使其成为高频应用理想选择。
3. 电机驱动: 在电机驱动电路中,FDP7030BL可以用于PWM(脉宽调制)控制下的电动机,能够有效调节电机的转速和扭矩。
4. LED驱动: 在高功率LED驱动电路中,通过FDP7030BL控制LED通断实现调光,能有效延长LED的使用寿命,提高能效。
5. 电池管理系统: 在电池管理系统中,FDP7030BL可用于串联或并联开关,帮助实现对电池状态的监测和管理,确保安全稳定的充放电过程。
对这些应用的成功实现,设计师需要深入了解FDP7030BL的特性,以便在实际电路中合理选用和应用,确保电路的高效性能与可靠性。
通过以上不同方面的分析,可以看出FDP7030BL在现代电子和电力设备中的重要性。它的高性能特点,如低导通电阻和强大的电流承载能力,使其成为多种高功率应用的核心组件。无论是在开关电源、直流直流转换器,还是电机驱动及LED驱动中,FDP7030BL的表现都能满足严苛的工程要求,从而为实现优化性能提供了坚实的基础。
深圳市芯福林电子有限公司 服务专线: 13418564337 在线联系:
深圳市中利达电子科技有限公司 服务专线: 0755-83200645/13686833545 在线联系:
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司 服务专线: 0755-83209937 在线联系:
首天国际(深圳)科技有限公司 服务专线: 0755-82807802/82807803 在线联系:
北京元坤伟业科技有限公司 服务专线: 010-62104931621064316210489162104791 在线联系:
型号: | FDP7030BL |
Brand Name: | Fairchild Semiconductor |
是否无铅: | 不含铅 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Transferred |
IHS 制造商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
零件包装代码: | TO-220 |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 |
制造商包装代码: | TO-220, MOLDED, 3LEAD, JEDEC VARIATION AB |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 3.88 |
Samacsys Confidence: | 3 |
Samacsys Status: | Released |
2D Presentation: | https://componentsearchengine.com/2D/0T/167186.2.2.png |
Schematic Symbol: | https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=167186 |
PCB Footprint: | https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=167186 |
3D View: | https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=167186 |
Samacsys PartID: | 167186 |
Samacsys Image: | https://componentsearchengine.com/Images/9/FDP7030BL.jpg |
Samacsys Thumbnail Image: | https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/FDP7030BL.jpg |
Samacsys Pin Count: | 3 |
Samacsys Part Category: | MOSFET (N-Channel) |
Samacsys Package Category: | Transistor Outline, Vertical |
Samacsys Footprint Name: | TO?220?3LD CASE 340AT ISSUE A |
Samacsys Released Date: | 2020-04-09 06:58:33 |
Is Samacsys: | N |
其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
雪崩能效等级(Eas): | 73 mJ |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 60 A |
最大漏极电流 (ID): | 60 A |
最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-220AB |
JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e3 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 65 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 180 A |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO |
端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯,Datasheet 1000万数据,IC品牌1000多家。