FDR8508P产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

详细描述：Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 30V 3A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：2 个 P 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：52 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：12nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：750pF @ 15V

功率 - 最大值：800mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SMD，鸥翼

供应商器件封装：SuperSOT™-8

标准包装：3,000

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）