FDR858P产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

详细描述：表面贴装 P 沟道 30V 8A（Ta） 1.8W（Ta） SuperSOT™-8

制造商：ON Semiconductor

系列：-

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：8A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：19 毫欧 @ 8A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：30nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2010pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：SuperSOT™-8

封装/外壳：8-SMD，鸥翼

标准包装：3,000

其它名称：FDR858P-ND FDR858PTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）