FDS2672产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 200V 3.9A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 N 沟道 200V 3.9A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO

制造商：ON Semiconductor

系列：UltraFET™

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：200V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：3.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 3.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：46nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：2535pF @ 100V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：2,500

其它名称：FDS2672TR