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FAIRCHILD
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fds4435bz
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P-Channel PowerTrench® MOSFET
-30V, -8.8A, 20mFET 型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点 逻辑电平门 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 20 毫欧 @ 8.8A, 10V
漏极至源极电压(Vdss) 30V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 40nC @ 10V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 8.8A
在 Vds 时的输入电容(Ciss) 1845pF @ 15V
功率 - 最大 1W
安装类型 表面贴装
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC |
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FAIRCHILD
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fds4435bz
中文翻译
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30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET
30伏P沟道PowerTrench MOSFET
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC |
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FAIRCHILD
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fds4435bz
中文翻译
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P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20mヘ
P沟道MOSFET PowerTrench㈢ -30V ， -8.8A ，20Mヘ
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管PC |
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FAIRCHILD
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fds4435bz_07
中文翻译
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P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET -30V, -8.8A, 20mヘ
P沟道MOSFET PowerTrench㈢ -30V ， -8.8A ，20Mヘ |
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FAIRCHILD
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fds4435bz_F085
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Small Signal Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
开关光电二极管晶体管 |
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