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品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC
详细描述:Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SO
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench®
包装:带卷(TR)
零件状态:在售
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):30V,20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.3A,5.6A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):18 毫欧 @ 9.3A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):27nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1958pF @ 10V
功率 - 最大值:1W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SO
标准包装:2,500
其它名称:FDS4501H-ND FDS4501HFSTR
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
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