FDS4501H产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V/20V 8SOIC

详细描述：Mosfet Array N and P-Channel 30V, 20V 9.3A, 5.6A 1W Surface Mount 8-SO

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：在售

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：30V，20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.3A，5.6A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 9.3A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：27nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1958pF @ 10V

功率 - 最大值：1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

标准包装：2,500

其它名称：FDS4501H-ND FDS4501HFSTR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）