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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 集好芯城

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    • 深圳市宗天技术开发有限公司

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    • 深圳市拓森弘电子有限公司

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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 上海振基实业有限公司

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    • 厂家Fairchild 
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    • 全新原装现货/另有约30万种现货,欢迎来电!
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    • 深圳市中利达电子科技有限公司

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    • 数量10000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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    • 原装进口现货 假一罚十
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    • 深圳市勤思达科技有限公司

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    • 数量14243 
    • 厂家ON/安森美 
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    • 全新现货可以开税票
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    • 上海磐岳电子有限公司

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    • 全新原装现货,杜绝假货。
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
      QQ:3007947087QQ：3007947087 复制
    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 北京元坤伟业科技有限公司

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    • 数量5000 
    • 厂家FDS 
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    • 百分百原装正品，现货库存
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    • FDS4675 MOS(场效应管)图

    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • FDS4675 MOS(场效应管)
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    • 羿芯诚只做原装长期供，支持实单
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    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • 数量9675 
    • 厂家√ 欧美㊣品 
    • 封装贴◆插 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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    • 010-62104891 QQ:2880824479
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    • 深圳市欧立现代科技有限公司

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    • FDS4675
    • 数量5166 
    • 厂家FAIRCHIL 
    • 封装SOP8 
    • 批号24+ 
    • 全新原装现货，欢迎询购！
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    • FDS4675图

    • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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    • 数量68000 
    • 厂家FAIRCHILD 
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    • 批号22+ 
    • 全新进口原厂原装，优势现货库存，有需要联系电话：18818596997 QQ：84556259
    • QQ:84556259QQ：84556259 复制
      QQ:783839662QQ：783839662 复制
    • 0755- QQ:84556259QQ:783839662
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    • 深圳市誉兴微科技有限公司

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    • 数量12600 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装SOP-8 
    • 批号22+ 
    • 深圳原装现货，支持实单
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    • 0755-82579431 QQ:2252757071
    • FDS4675图

    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • FDS4675
    • 数量51298 
    • 厂家 
    • 封装 
    • 批号17+ 
    • 原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈
    • QQ:1091796029QQ：1091796029 复制
      QQ:916896414QQ：916896414 复制
    • 0755-82772151 QQ:1091796029QQ:916896414
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    • 长荣电子

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    • 数量213 
    • 厂家 
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    • 现货
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    • 754-4457500 QQ:172370262
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    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • FDS4675-NL+
    • 数量5678 
    • 厂家F 
    • 封装SOP8 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
    • QQ:2880824479QQ：2880824479 复制
    • 010-62104891 QQ:2880824479
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    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • FDS4675_NL
    • 数量5000 
    • 厂家FAIRCHIL 
    • 封装原厂封装 
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    • 原装正品，假一罚十
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    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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    • 万三科技(深圳)有限公司

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    • FDS4675-F085
    • 数量660000 
    • 厂家ON Semiconductor（安森美） 
    • 封装 
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    • 支持实单/只做原装
    • QQ:3008961398QQ：3008961398 复制
    • 0755-21006672 QQ:3008961398
    • FDS4675图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • FDS4675
    • 数量98500 
    • 厂家FAIRCHICD 
    • 封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495751QQ：2881495751 复制
    • 0755-88917743 QQ:2881495751
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    • 深圳市亿科泰电子有限公司

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    • FDS4675
    • 数量52785 
    • 厂家FSC国产 
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    • 国产现货进口大芯片专营价优
    • QQ:800882919QQ：800882919 复制
    • 0755-83978353 QQ:800882919
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • FDS4675_NL
    • 数量30000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装SOP-8 
    • 批号23+ 
    • 代理全新原装现货，价格优势
    • QQ:1774550803QQ：1774550803 复制
      QQ:2924695115QQ：2924695115 复制
    • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
    • FDS4675图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

       该会员已使用本站15年以上
    • FDS4675
    • 数量65000 
    • 厂家FSC 
    • 封装SOT-8 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-23605827 QQ:2881495753
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    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • 数量25000 
    • 厂家原厂品牌 
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    • 深圳市英德州科技有限公司

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    • 数量22500 
    • 厂家ON(安森美) 
    • 封装SO-8 
    • 批号2年内 
    • 全新原装 货源稳定 长期供应 提供配单
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    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • 数量8800 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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    • 批号20+ 
    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • FDS4675
    • 数量6980 
    • 厂家FAIRCHILD 
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    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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    • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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    • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 厂家Fairchild(飞兆/仙童) 
    • 封装▊原厂封装▊ 
    • 批号▊ROHS环保▊ 
    • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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    • 755-83790645 QQ:2881664479
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    • 深圳市晨豪科技有限公司

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    • FDS4675_F085
    • 数量89630 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOP-8 
    • 批号23+ 
    • 当天发货全新原装现货
    • QQ:1743149803QQ：1743149803 复制
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    • 0755-82732291 QQ:1743149803QQ:1852346906

    产品型号FDS4675的概述

    芯片FDS4675的概述 FDS4675是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应晶体管），主要应用于电源管理、电动机驱动和其他开关电源等领域。作为一款功能强大的半导体器件，FDS4675因其出色的电气特性和可靠性，在现代电子电路中得到了广泛应用。FDS4675由多个公司生产，其中以Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor的一部分）较为知名。 该芯片的设计目的是为了满足高电流、高效率以及低电压工作场合的需求，适合在如DC-DC转换器和电机驱动等应用中实现高效能和低功耗。此外，FDS4675的低门极电荷特性使得它在频繁开关的应用场景中表现出色。这种特性使其非常适合于设计各种高频开关电源、电池管理系统以及其他需要快速开关而且功耗较低的电路。 芯片FDS4675的详细参数 FDS4675的详细参数包括以下几个方面： 1. 电压参数： - 最大漏...

    产品型号FDS4675的Datasheet PDF文件预览

    February 2001  
    FDS4675  
    40V P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
    General Description  
    Features  
    This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of  
    Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
    process. It has been optimized for power management  
    applications requiring a wide range of gave drive  
    voltage ratings (4.5V – 20V).  
    · –11 A, –40 V  
    RDS(ON) = 0.013 W @ VGS = –10 V  
    RDS(ON) = 0.017 W @ VGS = –4.5 V  
    · Fast switching speed  
    · High performance trench technology for extremely  
    Applications  
    low RDS(ON)  
    · Power management  
    · Load switch  
    · High power and current handling capability  
    · Battery protection  
    D
    5
    6
    7
    8
    4
    3
    2
    1
    D
    D
    D
    SO-8  
    G
    S
    S
    S
    Pin 1
    Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
    Symbol  
    VDSS  
    Parameter  
    Drain-Source Voltage  
    Ratings  
    –40  
    Units  
    V
    V
    A
    VGSS  
    ID  
    Gate-Source Voltage  
    ±20  
    Drain Current – Continuous  
    – Pulsed  
    (Note 1a)  
    –11  
    –50  
    2.4 (steady state)  
    1.4  
    PD  
    Power Dissipation for Single Operation  
    (Note 1a)  
    (Note 1b)  
    (Note 1c)  
    W
    1.2  
    TJ, TSTG  
    Operating and Storage Junction Temperature Range  
    -55 to +175  
    °C  
    Thermal Characteristics  
    Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
    (Note 1a)  
    (Note 1c)  
    (Note 1)  
    62.5 (steady state), 50 (10 sec)  
    RqJA  
    RqJA  
    RqJC  
    °C/W  
    °C/W  
    °C/W  
    Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
    Thermal Resistance, Junction-to-Case  
    125  
    25  
    Package Marking and Ordering Information  
    Device Marking  
    Device  
    Reel Size  
    Tape width  
    Quantity  
    FDS4675  
    FDS4675  
    13’’  
    12mm  
    2500 units  
    Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS4675 Rev C(W)  
    Electrical Characteristics  
    TA = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min Typ Max Units  
    Off Characteristics  
    BVDSS  
    Drain–Source Breakdown Voltage VGS = 0 V, ID = –250 mA  
    –40  
    V
    Breakdown Voltage Temperature  
    Coefficient  
    DBVDSS  
    DTJ  
    ID = –250 mA, Referenced to 25°C  
    VDS = –32 V, VGS = 0 V  
    VGS = 20 V, VDS = 0 V  
    –34  
    mV/°C  
    IDSS  
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    Gate–Body Leakage, Forward  
    Gate–Body Leakage, Reverse  
    –1  
    mA  
    nA  
    nA  
    IGSSF  
    IGSSR  
    100  
    VGS = –20 V VDS = 0 V  
    –100  
    On Characteristics  
    (Note 2)  
    VGS(th)  
    Gate Threshold Voltage  
    Gate Threshold Voltage  
    Temperature Coefficient  
    VDS = VGS, ID = –250 mA  
    –1  
    –1.4  
    4.6  
    –3  
    V
    DVGS(th)  
    DTJ  
    RDS(on)  
    ID = –250 mA, Referenced to 25°C  
    mV/°C  
    mW  
    Static Drain–Source  
    On–Resistance  
    VGS = –10 V,  
    ID = –11 A  
    10  
    13  
    15  
    13  
    17  
    21  
    VGS = –4.5 V, ID = –9.5 A  
    VGS=–10 V, ID =–11 A, TJ=125°C  
    ID(on)  
    gFS  
    On–State Drain Current  
    VGS = –10 V,  
    VDS = –5 V,  
    VDS = –5 V  
    ID = –11 A  
    –25  
    A
    S
    Forward Transconductance  
    44  
    Dynamic Characteristics  
    C
    Input Capacitance  
    4350  
    622  
    pF  
    pF  
    pF  
    iss  
    VDS = –20 V,  
    f = 1.0 MHz  
    V GS = 0 V,  
    Coss  
    Output Capacitance  
    C
    rss  
    Reverse Transfer Capacitance  
    290  
    Switching Characteristics (Note 2)  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    Turn–On Delay Time  
    Turn–On Rise Time  
    Turn–Off Delay Time  
    Turn–Off Fall Time  
    Total Gate Charge  
    Gate–Source Charge  
    Gate–Drain Charge  
    VDD = –20 V,  
    VGS = –4.5 V, RGEN = 6 W  
    ID = –1 A,  
    20  
    29  
    95  
    60  
    40  
    11  
    13  
    36  
    46  
    ns  
    ns  
    152  
    96  
    ns  
    ns  
    Qg  
    VDS = –20 V,  
    VGS = –4.5 V  
    ID = –11 A,  
    56  
    nC  
    nC  
    nC  
    Qgs  
    Qgd  
    Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
    IS  
    Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
    –2.1  
    –1.2  
    A
    V
    Drain–Source Diode Forward  
    VSD  
    VGS = 0 V, IS = –2.1 A (Note 2)  
    –0.7  
    Voltage  
    Notes:  
    1. RqJA is the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of  
    the drain pins. RqJC is guaranteed by design while RqCA is determined by the user's board design.  
    a) 50°C/W when  
    mounted on a 1in  
    b) 105°C/W when  
    mounted on a .04 in  
    c) 125°C/W when mounted on a  
    minimum pad.  
    2
    2
    pad of 2 oz copper  
    pad of 2 oz copper  
    Scale 1 : 1 on letter size paper  
    2. Pulse Test: Pulse Width < 300ms, Duty Cycle < 2.0%  
    FDS4675 Rev C(W)  
    Typical Characteristics  
    50  
    2.2  
    2
    VGS = -10V  
    -3.5V  
    -6.0V  
    40  
    -4.5V  
    -3.0V  
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1
    VGS = -3.0V  
    30  
    20  
    10  
    0
    -3.5V  
    -2.5V  
    -4.0V  
    -4.5V  
    -6.0V  
    -10V  
    0.8  
    0
    0.5  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    -ID , DIRAIN CURRENT (A)  
    Figure 1. On-Region Characteristics.  
    Figure 2. On-Resistance Variation with  
    Drain Current and Gate Voltage.  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1
    0.05  
    ID = -11A  
    ID = -5.5A  
    VGS = -10V  
    0.04  
    0.03  
    0.02  
    0.01  
    0
    TA = 125oC  
    TA = 25oC  
    0.8  
    0.6  
    -50  
    -25  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    4
    4.5  
    5
    TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
    -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 3. On-Resistance Variation with  
    Temperature.  
    Figure 4. On-Resistance Variation with  
    Gate-to-Source Voltage.  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    100  
    TA = -55oC  
    25oC  
    125oC  
    VGS = 0V  
    VDS = -5.0V  
    10  
    TA = 125oC  
    1
    25oC  
    0.1  
    -55oC  
    0.01  
    0.001  
    0.0001  
    1
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    0
    0.2  
    -VSD  
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1
    1.2  
    1.4  
    -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    ,
    BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
    Figure 5. Transfer Characteristics.  
    Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation  
    with Source Current and Temperature.  
    FDS4675 Rev C(W)  
    Typical Characteristics  
    6000  
    5000  
    4000  
    3000  
    2000  
    1000  
    0
    5
    f = 1 MHz  
    VGS = 0 V  
    VDS = -10V  
    ID = -11A  
    -20V  
    4
    3
    2
    1
    0
    -30V  
    CISS  
    COSS  
    CRSS  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    50  
    0
    10  
    20  
    30  
    40  
    Qg, GATE CHARGE (nC)  
    -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 7. Gate Charge Characteristics.  
    Figure 8. Capacitance Characteristics.  
    100  
    10  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    RDS(ON) LIMIT  
    m
    100  
    s
    SINGLE PULSE  
    RqJA = 125°C/W  
    TA = 25°C  
    1ms  
    10ms  
    100ms  
    1s  
    10s  
    1
    DC  
    VGS = -4.5V  
    SINGLE PULSE  
    RqJA = 125oC/W  
    TA = 25oC  
    0.1  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    -VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
    t1, TIME (sec)  
    Figure 9. Maximum Safe Operating Area.  
    Figure 10. Single Pulse Maximum  
    Power Dissipation.  
    1
    D = 0.5  
    R
    qJA (t) = r(t) + RqJA  
    0.2  
    R
    qJA = 125oC/W  
    0.1  
    0.1  
    0.05  
    P(pk)  
    0.02  
    0.01  
    t1  
    t2  
    0.01  
    TJ - TA = P * RqJA(t)  
    Duty Cycle, D = t1 / t2  
    SINGLE PULSE  
    0.001  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    1000  
    t1, TIME (sec)  
    Figure 11. Transient Thermal Response Curve.  
    Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.  
    Transient thermal response will change depending on the circuit board design.  
    FDS4675 Rev C(W)  
    TRADEMARKS  
    The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is  
    not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
    PowerTrench  
    QFET™  
    QS™  
    SyncFET™  
    TinyLogic™  
    UHC™  
    ACEx™  
    FASTr™  
    GlobalOptoisolator™  
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    QT Optoelectronics™  
    VCX™  
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    Quiet Series™  
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    POP™  
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    EnSignaTM  
    FACT™  
    FACT Quiet Series™  
    FAST  
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    systems which, (a) are intended for surgical implant into  
    the body, or (b) support or sustain life, or (c) whose  
    failure to perform when properly used in accordance  
    with instructions for use provided in the labeling, can be  
    reasonably expected to result in significant injury to the  
    user.  
    2. A critical component is any component of a life  
    support device or system whose failure to perform can  
    be reasonably expected to cause the failure of the life  
    support device or system, or to affect its safety or  
    effectiveness.  
    PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
    Definition of Terms  
    Datasheet Identification  
    Product Status  
    Definition  
    Advance Information  
    Formative or  
    In Design  
    This datasheet contains the design specifications for  
    product development. Specifications may change in  
    any manner without notice.  
    Preliminary  
    First Production  
    This datasheet contains preliminary data, and  
    supplementary data will be published at a later date.  
    Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
    changes at any time without notice in order to improve  
    design.  
    No Identification Needed  
    Obsolete  
    Full Production  
    This datasheet contains final specifications. Fairchild  
    Semiconductor reserves the right to make changes at  
    any time without notice in order to improve design.  
    Not In Production  
    This datasheet contains specifications on a product  
    that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
    The datasheet is printed for reference information only.  
    Rev. G  
    配单直通车
    FDS4675产品参数
    型号:FDS4675
    Brand Name：Fairchild Semiconductor
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Transferred
    零件包装代码：SOIC
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
    针数：8
    制造商包装代码：8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.95
    风险等级：5.31
    配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：40 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A
    最大漏极电流 (ID)：11 A
    最大漏源导通电阻：0.013 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-G8
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：1
    端子数量：8
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：175 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
    极性/信道类型：P-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：2.4 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：50 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
    • 供货商
    • 型号 *
    • 数量*
    • 厂商
    • 封装
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