FDS6162N7产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

详细描述：表面贴装 N 沟道 20V 23A（Ta） 3W（Ta） 8-SO

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：23A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：3.5 毫欧 @ 23A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：73nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±12V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5521pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3W（Ta）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：8-SO

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

标准包装：2,500

其它名称：FDS6162N7_NL FDS6162N7_NLTR FDS6162N7_NLTR-ND FDS6162N7TR

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）