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FDS6630A产品参数
型号:FDS6630A
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
制造商包装代码:751EB
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.97
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/277786.1.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=277786
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=277786
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=277786
Samacsys PartID:277786
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FDS6630A.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/1/FDS6630A.jpg
Samacsys Pin Count:8
Samacsys Part Category:Transistor
Samacsys Package Category:Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name:SO 8L NB (SOIC)
Samacsys Released Date:2016-02-23 08:48:14
Is Samacsys:N
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):6.5 A
最大漏极电流 (ID):6.5 A
最大漏源导通电阻:0.038 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G8
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:8
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.5 W
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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