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FAIRCHILD FDS6680A
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Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET
单N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
FAIRCHILD FDS6680A_12
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Single N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET
单N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrench®
FAIRCHILD FDS6680A_NL
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暂无描述
FAIRCHILD FDS6680AF011 Small Signal Field-Effect Transistor, 12.5A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
开关光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS6680AS
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30V N-Channel PowerTrench SyncFET
30V N沟道的PowerTrench SyncFET
FAIRCHILD FDS6680AS
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30V N-Channel PowerTrench SyncFET
30V N沟道的PowerTrench SyncFET
FAIRCHILD FDS6680AS_08
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30V N-Channel PowerTrench SyncFET
30V N沟道的PowerTrench SyncFET
FAIRCHILD FDS6680AS_NL
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30V N-Channel PowerTrench SyncFET
30V N沟道的PowerTrench SyncFET
晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
更多FDS6680A资料...

FDS6680A详细参数

Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码
SOIC
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数
8
制造商包装代码
8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
3.89
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
12.5 A
最大漏极电流 (ID)
12.5 A
最大漏源导通电阻
0.0095 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
1
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
功耗环境最大值
1 W
最大功率耗散 (Abs)
2.5 W
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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