FDS6812A产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8SOIC

详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.7A 900mW Surface Mount 8-SO

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：带卷（TR）

零件状态：停產

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.7A

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：22 毫欧 @ 6.7A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.5V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：19nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：1082pF @ 10V

功率 - 最大值：900mW

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

标准包装：2,500

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL）：1（无限）