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FDS6912A产品参数和技术文档

FDS6912A产品图

FDS6912A产品参考价格

价格分段
单价(USD)
总价格(USD)
2,500
0.35841
$896.03

FDS6912A产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

详细描述:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:带卷(TR)

零件状态:在售

FET 类型:2 个 N 沟道(双)

FET 功能:逻辑电平门

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):6A

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):28 毫欧 @ 6A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):8.1nC @ 5V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):575pF @ 15V

功率 - 最大值:900mW

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

供应商器件封装:8-SO

标准包装:2,500

其它名称:FDS6912ATR

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