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    FDS6912A产品参数和技术文档

    FDS6912A产品图

    FDS6912A产品参考价格

    价格分段
    单价(USD)
    总价格(USD)
    2,500
    0.35841
    $896.03

    FDS6912A产品参数

    品牌：ON Semiconductor

    描述：MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC

    详细描述：Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 900mW Surface Mount 8-SO

    制造商：ON Semiconductor

    系列：PowerTrench®

    包装：带卷（TR）

    零件状态：在售

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源电压（Vdss）：30V

    电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6A

    不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：28 毫欧 @ 6A，10V

    不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：8.1nC @ 5V

    不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：575pF @ 15V

    功率 - 最大值：900mW

    工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SO

    标准包装：2,500

    其它名称：FDS6912ATR

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