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    fds6912a 的Datasheet文档资料查询

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    FAIRCHILD FDS6912A
    中文翻译     		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
    晶体晶体管开关光电二极管PC
    5页
    FAIRCHILD FDS6912A
    中文翻译     		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
    晶体晶体管开关光电二极管PC
    5页
    FAIRCHILD FDS6912A
    中文翻译     		Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
    双N沟道逻辑电平， PowerTrenchTM MOSFET
    晶体晶体管开关光电二极管PC
    4页
    FAIRCHILD FDS6912A_03
    中文翻译     		Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
    双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
    5页
    FAIRCHILD FDS6912A_NB5E021A Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
    5页
    FAIRCHILD FDS6912A_NL
    中文翻译     		Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
    晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
    8页
    FAIRCHILD FDS6912AD84Z Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
    开关光电二极管晶体管
    4页
    FAIRCHILD FDS6912A-NB5E0121 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
    5页
    FAIRCHILD FDS6912AS62Z Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
    开关光电二极管晶体管
    4页
    更多FDS6912A资料...

    FDS6912A详细参数

    Brand Name
    Fairchild Semiconductor
    是否无铅
    不含铅
    是否Rohs认证
    符合
    生命周期
    Transferred
    IHS 制造商
    FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
    零件包装代码
    SOIC
    包装说明
    SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
    针数
    8
    制造商包装代码
    8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY
    Reach Compliance Code
    compliant
    ECCN代码
    EAR99
    HTS代码
    8541.29.00.95
    风险等级
    5.32
    其他特性
    LOGIC LEVEL COMPATIBLE
    配置
    SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压
    30 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)
    6 A
    最大漏极电流 (ID)
    6 A
    最大漏源导通电阻
    0.028 Ω
    FET 技术
    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码
    R-PDSO-G8
    JESD-609代码
    e3
    湿度敏感等级
    1
    元件数量
    2
    端子数量
    8
    工作模式
    ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度
    150 °C
    封装主体材料
    PLASTIC/EPOXY
    封装形状
    RECTANGULAR
    封装形式
    SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）
    NOT SPECIFIED
    极性/信道类型
    N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)
    2 W
    认证状态
    Not Qualified
    子类别
    FET General Purpose Power
    表面贴装
    YES
    端子面层
    Matte Tin (Sn)
    端子形式
    GULL WING
    端子位置
    DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间
    NOT SPECIFIED
    晶体管应用
    SWITCHING
    晶体管元件材料
    SILICON
    Base Number Matches
    1
    FDS6912A资料下载FDS6912A_03资料下载FDS6912A_NB5E021A资料下载FDS6912A_NL资料下载FDS6912AD84Z资料下载FDS6912A-NB5E0121资料下载FDS6912AS62Z资料下载FDS6912L86Z资料下载FDS6930资料下载FDS6930A资料下载

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