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FAIRCHILD FDS6912A
中文翻译
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
晶体晶体管开关光电二极管PC
FAIRCHILD FDS6912A
中文翻译
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
晶体晶体管开关光电二极管PC
FAIRCHILD FDS6912A
中文翻译
Dual N-Channel, Logic Level, PowerTrenchTM MOSFET
双N沟道逻辑电平, PowerTrenchTM MOSFET
晶体晶体管开关光电二极管PC
FAIRCHILD FDS6912A_03
中文翻译
Dual N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET
双N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD FDS6912A_NB5E021A Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FAIRCHILD FDS6912A_NL
中文翻译
Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
FAIRCHILD FDS6912AD84Z Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
开关光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS6912A-NB5E0121 Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
FAIRCHILD FDS6912AS62Z Small Signal Field-Effect Transistor, 6A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
开关光电二极管晶体管
更多FDS6912A资料...

FDS6912A详细参数

Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码
SOIC
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数
8
制造商包装代码
8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
5.32
其他特性
LOGIC LEVEL COMPATIBLE
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
6 A
最大漏极电流 (ID)
6 A
最大漏源导通电阻
0.028 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
NOT SPECIFIED
极性/信道类型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2 W
认证状态
Not Qualified
子类别
FET General Purpose Power
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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