深圳市英科美电子有限公司
服务专线:0755-23903058
首天国际(深圳)科技有限公司
服务专线:0755-82807802
深圳市中利达电子科技有限公司
服务专线:0755-83200645
深圳市弘晟世纪电子科技有限公司
服务专线:0755-83374364
深圳市博正芯科技有限公司
服务专线:0755-82545279
北京元坤伟业科技有限公司
服务专线:010-62104931
品牌:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC
详细描述:表面贴装 N 沟道 30V 19A(Ta) 3W(Ta) 8-SO
制造商:ON Semiconductor
系列:PowerTrench®
包装:带卷(TR)
零件状态:停產
FET 类型:N 沟道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):19A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):5 毫欧 @ 19A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):56nC @ 5V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):3274pF @ 15V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):3W(Ta)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
供应商器件封装:8-SO
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准包装:2,500
其它名称:FDS7060N7_NL FDS7060N7_NLTR FDS7060N7_NLTR-ND FDS7060N7TR
专业IC领域供求交易平台:提供全面的IC Datasheet资料和资讯,Datasheet 1000万数据,IC品牌1000多家。