芯片FDS7088N3的概述
FDS7088N3是一款高性能的N沟道场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、电动机驱动及其他高效率开关电源等多个领域。作为一种重要的电子元器件,FDS7088N3因其良好的电气性能和出色的热管理特性受到工程师的青睐。它的设计主要旨在提供低导通电阻和快速开关速度,从而在各种应用中实现高效率和节能。
芯片FDS7088N3的详细参数
FDS7088N3的主要电气参数如下:
1. 最大漏极源极电压 (V DS):30V 2. 最大漏极电流 (I D):46A 3. 导通电阻 (R DSon):典型值为10.5 mΩ(在V GS = 10V时) 4. 栅源阈值电压 (V GS(th)):通常在1V到2.5V之间 5. 最大功耗 (P D):62W(在适当的散热条件下) 6. 工作温度范围:-55°C至150°C
为保证高效能,FDS7088N3的设计采用了先进的硅技术,使得其在较大频率下依然能够保持良好的性能与稳定性,适用于要求相对严苛的各种应用环境。
芯片FDS7088N3的厂家、包装与封装
FDS7088N3由Fairchild Semiconductor制造,早在世嘉半导体(Fairchild Semiconductor)推出时便已获得业界的认可。该型号的MOSFET通常采用SO-8封装,这种封装类型设计紧凑,适合于多层电路板设计,且易于安装于自动化生产线上。
- 封装类型:SO-8 - 包装形式:一般情况下以卷装形式发货,便于大规模生产。
SO-8封装具有良好的散热性能,并能够适应高温环境,适合在密集的电路设计中使用。这使得FDS7088N3特别适合于空间有限但对性能有高要求的应用。
芯片FDS7088N3的引脚和电路图说明
FDS7088N3的引脚配置相对简单,典型的SO-8封装具有8个引脚。具体引脚排列及其功能如下:
- 引脚1 (G):栅极 - 引脚2 (S):源极 - 引脚3 (D):漏极 - 引脚4 (D):漏极(另外一个漏极引脚) - 引脚5 (S):源极(与引脚2相连) - 引脚6 (G):栅极(与引脚1相连) - 引脚7 (S):源极(同样连接) - 引脚8 (D):漏极(与引脚3和4相连)
引脚位置的选择与结构设计确保了FDS7088N3在PCB设计中的灵活性,使其能够以多种方式与其他电子元件连接。
电路图的设计中,可以将FDS7088N3作为开关元件,用于控制电流的开启与关闭。通过适当的栅极驱动电压,MOSFET可以实现快速的开关响应。典型的应用电路可能包括电源管理系统,其中FDS7088N3控制输入到负载的功率路径,通过调整栅极电压达到调节输出电压的目的。
芯片FDS7088N3的使用案例
FDS7088N3的广泛应用实例主要集中在电源管理和负载调节等场景。以下是几个典型的使用案例:
1. DC-DC转换器:在步进降压型DC-DC转换器中,FDS7088N3可用作为主开关,通过控制栅极电压实现高效率的能量转换,降低功耗。通过合理设计其驱动电路,可以显著提高工作效率及转换速率。
2. 电动工具驱动电路:在电动工具的电源控制模块中,利用FDS7088N3的高电流承载能力和低导通电阻,可以实现快速的电流开关,减少能量损失,提升整体工作效能。
3. LED驱动应用:在LED灯具中,FDS7088N3作为控制开关,能在高频PWM控制情况下以较低的发热量驱动LED,确保光源稳定且效率高。
4. 电池管理系统:在电池充放电管理中,FDS7088N3可以用于相应的开关控制,帮助实现精确的电流路径管理,提高电池使用寿命。
通过合理的电路设计和参数配置,FDS7088N3的高效能确保了各类应用的安全与稳定。同时,随着技术的进步,其在更多新兴领域的应用潜力亟待挖掘,这让其在现代电子设计中持续保持重要地位。
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型号: | FDS7088N3 |
是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete |
IHS 制造商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
零件包装代码: | SOT |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
针数: | 8 |
Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.43 |
Samacsys Description: | MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC |
外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 30 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 21 A |
最大漏极电流 (ID): | 21 A |
最大漏源导通电阻: | 0.004 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码: | e4 |
湿度敏感等级: | 1 |
元件数量: | 1 |
端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 3 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified |
子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES |
端子面层: | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
端子形式: | GULL WING |
端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON |
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