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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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    • 封装8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 
    • 批号22+ 
    • 原装正品现货，可开专票，欢迎采购！！！
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市捷立辉科技有限公司

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    • 进口原装现货，公司真实库存
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 封装SOP-8 
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    • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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    • 厂家FSC 
    • 封装SOP-8 
    • 批号22+ 
    • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOP-8 
    • 批号23+ 
    • 只做原装现货假一罚十
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    • 0755-82702619 QQ:2103443489QQ:2924695115
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    • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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    • 数量9500 
    • 厂家ON(安森美) 
    • 封装8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） 
    • 批号24+ 
    • 绝对原装正品，可开专票，欢迎采购！！！
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    • 深圳市珩瑞科技有限公司

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    • 数量25000 
    • 厂家ON 
    • 封装SOP8 
    • 批号21+ 
    • 只做原装正品，支持实单
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    • -0755-82578309 QQ:2938238007QQ:1840507767
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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 数量26700 
    • 厂家ON(安森美) 
    • 封装▊原厂封装▊ 
    • 批号▊ROHS环保▊ 
    • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
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    • 755-83790645 QQ:2881664479
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    • 集好芯城

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    • 数量19415 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOP8 
    • 批号最新批次 
    • 原装原厂 现货现卖
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      QQ:3008092965QQ：3008092965 复制
    • 0755-83239307 QQ:3008092965QQ:3008092965
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    • 深圳市高捷芯城科技有限公司

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    • 数量9555 
    • 厂家onsemi(安森美) 
    • 封装SOP-8 
    • 批号23+ 
    • 支持大陆交货，美金交易。原装现货库存。
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
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    • 0755-83062789 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 深圳市晶美隆科技有限公司

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    • 数量68000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOP-8 
    • 批号24+ 
    • 假一罚十，原装进口正品现货供应，价格优势。
    • QQ:198857245QQ：198857245 复制
    • 0755-82865294 QQ:198857245
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    • 现代芯城（深圳）科技有限公司

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    • 数量78000 
    • 厂家一级代理 
    • 封装一级代理 
    • 批号一级代理 
    • 一级代理正品采购
    • QQ:3007226851QQ：3007226851 复制
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    • 0755-82542579 QQ:3007226851QQ:3007226849
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    • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOP-8 
    • 批号24+ 
    • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
    • QQ:2885648621QQ：2885648621 复制
    • 0755-23616725 QQ:2885648621
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    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 数量26800 
    • 厂家on 
    • 封装SOIC-8 
    • 批号22+ 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
    • QQ:1435424310QQ：1435424310 复制
    • 0755-84507451 QQ:1435424310
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    • 深圳市芯柏然科技有限公司

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    • 数量26800 
    • 厂家on 
    • 封装SOIC-8 
    • 批号22+ 
    • 授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售
    • QQ:287673858QQ：287673858 复制
    • 0755-82533534 QQ:287673858
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量85000 
    • 厂家ON 
    • 封装SOP-8 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • 数量8800 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装原厂封装 
    • 批号新年份 
    • 羿芯诚只做原装，原厂渠道，价格优势可谈！
    • QQ:2853992132QQ：2853992132 复制
    • 0755-82570683 QQ:2853992132
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    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • 数量6000 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装SOP-8 
    • 批号2024+ 
    • 原装正品，假一罚十
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    • 010-62104931 QQ:2880824479QQ:1344056792
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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • 数量352 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装SOP-8 
    • 批号21+ 
    • 羿芯诚只做原装 原厂渠道 价格优势
    • QQ:2881498351QQ：2881498351 复制
    • 0755-22968581 QQ:2881498351
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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • 数量33250 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装NA/ 
    • 批号23+ 
    • 原装现货，当天可交货，原型号开票
    • QQ:3007977934QQ：3007977934 复制
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    • 0755-82546830 QQ:3007977934QQ:3007947087
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    • 深圳市捷立辉科技有限公司

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    • 数量29686 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装 
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    • 进口原装现货，公司真实库存ON代理渠道
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    • -0755-82792948 QQ:1803576909
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    • 深圳市炎凯科技有限公司

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    • 数量64670 
    • 厂家ON 
    • 封装SOP-8 
    • 批号24+ 
    • 原装现货
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    • 深圳市湘达电子有限公司

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    • 数量6600 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装8SOIC 
    • 批号20+ 
    • 原盒原装原标签,市场最低价。
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    • 0755-83229772 QQ:215672808
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    • 深圳市凯信扬科技有限公司

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    • 数量45600 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装SOP-8 
    • 批号20+ 
    • 只做原装必须原装，实单必成
    • QQ:872328909QQ：872328909 复制
    • 0755-82518059 QQ:872328909
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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 只做原装 实单来谈★★☆
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    • 深圳市勤思达科技有限公司

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    • 厂家ON/安森美 
    • 封装SOP-8 
    • 批号24+ 
    • 全新现货可以开税票
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    • 0755-83264115 QQ:2881239445
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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 数量10285 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装▋原封 
    • 批号21+ 
    • 半导体&元器件供应商原装电子元件长期供应样品批量支持
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    • 0755-83532193 QQ:2881664480
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • 数量98500 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装原厂封装 
    • 批号23+ 
    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-88917743 QQ:2881495751
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    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • 数量8500 
    • 厂家原厂品牌 
    • 封装原厂封装 
    • 批号新年份 
    • 羿芯诚只做原装长期供，支持实单
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    • 0755-82570600 QQ:2880123150

    产品型号FDS89161LZ的概述

    FDS89161LZ芯片概述 FDS89161LZ是一款高度集成的N沟道MOSFET，广泛应用于开关电源、负载开关以及其他电源管理的应用场合。该芯片的设计旨在优化能够和效率，特别是针对需要高频操作和快速开关能力的场合。该芯片的特性使其在移动设备、计算机、家电和汽车电子等领域中的使用变得尤为重要。 FDS89161LZ的主要特点是在低导通电阻下提供高电流能力，使其在提高效率的同时降低了功耗。此外，该系列芯片的驱动电压范围合理，有利于降低操作复杂性。通过对电路设计者而言，FDS89161LZ可以较为容易地进行集成，从而简化整个系统的布局和设计。 详细参数 电气特性 - V_DS（绝对最大额定值）: 30V - I_D（最大连续漏电流）: 63A - R_DS(on)（导通电阻）: 10mΩ @ V_GS = 10V - V_GS（栅源电压范围）: -20V至+20V - 输入电容C_is...

    产品型号FDS89161LZ的Datasheet PDF文件预览

    June 2011  
    FDS89161LZ  
    Dual N-Channel PowerTrench® MOSFET  
    100 V, 2.7 A, 105 mΩ  
    Features  
    General Description  
    „ Max rDS(on) = 105 mΩ at VGS = 10 V, ID = 2.7 A  
    This N-Channel logic Level MOSFETs are produced using  
    Fairchild Semiconductor‘s advanced Power Trench® process  
    that has been special tailored to minimize the on-state  
    resisitance and yet maintain superior switching performance.  
    „ Max rDS(on) = 160 mΩ at VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A  
    „ High performance trench technology for extremely low rDS(on)  
    G-S zener has been added to enhance ESD voltage level.  
    „ High power and current handling capability in a widely used  
    surface mount package  
    Application  
    „ CDM ESD protection level > 2KV typical (Note 4)  
    „ 100% UIL Tested  
    „ DC-DC conversion  
    „ RoHS Compliant  
    D2  
    D2  
    G2  
    S2  
    G1  
    S1  
    D2  
    D2  
    D1  
    D1  
    D1  
    D1  
    5
    6
    7
    8
    4
    3
    2
    1
    Q2  
    Q1  
    G2  
    S2  
    G1  
    S1  
    Pin 1  
    SO-8  
    MOSFET Maximum Ratings TA = 25 °C unless otherwise noted  
    Symbol  
    VDS  
    VGS  
    Parameter  
    Ratings  
    Units  
    Drain to Source Voltage  
    Gate to Source Voltage  
    Drain Current -Continuous  
    -Pulsed  
    100  
    V
    V
    ±20  
    2.7  
    ID  
    A
    mJ  
    W
    15  
    EAS  
    PD  
    Single Pulse Avalanche Energy  
    Power Dissipation  
    (Note 3)  
    13  
    31  
    TC = 25 °C  
    TA = 25 °C  
    Power Dissipation  
    (Note1a)  
    1.6  
    TJ, TSTG  
    Operating and Storage Junction Temperature Range  
    -55 to +150  
    °C  
    Thermal Characteristics  
    RθJC  
    RθJA  
    Thermal Resistance, Junction to Case  
    Thermal Resistance, Junction to Ambient  
    (Note 1)  
    4.0  
    78  
    °C/W  
    (Note 1a)  
    Package Marking and Ordering Information  
    Device Marking  
    Device  
    Package  
    Reel Size  
    13 ’’  
    Tape Width  
    12 mm  
    Quantity  
    FDS89161LZ  
    FDS89161LZ  
    SO-8  
    2500 units  
    ©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS89161LZ Rev. C4  
    1
    www.fairchildsemi.com  
    Electrical Characteristics TJ = 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min  
    Typ  
    Max  
    Units  
    Off Characteristics  
    BVDSS  
    Drain to Source Breakdown Voltage  
    ID = 250 μA, VGS = 0 V  
    100  
    V
    ΔBVDSS  
    ΔTJ  
    Breakdown Voltage Temperature  
    Coefficient  
    I
    D = 250 μA, referenced to 25 °C  
    68  
    mV/°C  
    IDSS  
    IGSS  
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    Gate to Source Leakage Current  
    VDS = 80 V, VGS = 0 V  
    VGS = ±20 V, VDS = 0 V  
    1
    μA  
    μA  
    ±10  
    On Characteristics  
    VGS(th)  
    Gate to Source Threshold Voltage  
    VGS = VDS, ID = 250 μA  
    1
    1.7  
    -6  
    2.2  
    V
    ΔVGS(th)  
    ΔTJ  
    Gate to Source Threshold Voltage  
    Temperature Coefficient  
    I
    D = 250 μA, referenced to 25 °C  
    mV/°C  
    V
    GS = 10 V, ID = 2.7 A  
    81  
    110  
    140  
    7.8  
    105  
    160  
    182  
    rDS(on)  
    gFS  
    Static Drain to Source On Resistance  
    Forward Transconductance  
    VGS = 4.5 V, ID = 2.1 A  
    mΩ  
    VGS = 10 V, ID = 2.7 A, TJ = 125 °C  
    VDS = 10 V, ID = 2.7 A  
    S
    Dynamic Characteristics  
    Ciss  
    Coss  
    Crss  
    Rg  
    Input Capacitance  
    227  
    44  
    3
    302  
    58  
    4
    pF  
    pF  
    pF  
    Ω
    VDS = 50 V, VGS = 0 V,  
    f = 1MHz  
    Output Capacitance  
    Reverse Transfer Capacitance  
    Gate Resistance  
    0.9  
    Switching Characteristics  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    Turn-On Delay Time  
    Rise Time  
    3.8  
    1.2  
    9.5  
    1.6  
    3.8  
    2.1  
    0.7  
    0.7  
    10  
    10  
    ns  
    ns  
    VDD = 50 V, ID = 2.7 A,  
    V
    GS = 10 V, RGEN = 6 Ω  
    Turn-Off Delay Time  
    Fall Time  
    17  
    ns  
    10  
    ns  
    Qg(TOT)  
    Qg(TOT)  
    Qgs  
    Total Gate Charge  
    Total Gate Charge  
    Gate to Source Charge  
    Gate to Drain “Miller” Charge  
    VGS = 0 V to 10 V  
    VGS = 0 V to 5 V  
    5.3  
    2.9  
    nC  
    nC  
    nC  
    nC  
    VDD = 50 V,  
    D = 2.7 A  
    I
    Qgd  
    Drain-Source Diode Characteristics  
    V
    GS = 0 V, IS = 2.7 A  
    (Note 2)  
    (Note 2)  
    0.8  
    0.8  
    31  
    1.3  
    1.2  
    56  
    VSD  
    Source to Drain Diode Forward Voltage  
    V
    VGS = 0 V, IS = 2 A  
    trr  
    Reverse Recovery Time  
    ns  
    IF = 2.7 A, di/dt = 100 A/μs  
    Qrr  
    Reverse Recovery Charge  
    20  
    36  
    nC  
    NOTES:  
    2
    1. R  
    is determined with the device mounted on a 1in pad 2 oz copper pad on a 1.5 x 1.5 in. board of FR-4 material. R  
    is guaranteed by design while R is determined by  
    θCA  
    θJA  
    θJC  
    the user's board design.  
    a) 78°C/W when  
    mounted on a 1 in  
    pad of 2 oz copper  
    b) 135°C/W when  
    mounted on a  
    minimun pad  
    2
    2. Pulse Test: Pulse Width < 300μs, Duty cycle < 2.0%.  
    3. Starting TJ = 25 °C, L = 0.3 mH, IAS =25 A, VDD = 27 V, VGS = 10V.  
    4. The diode connected between gate and source serves only as protection against ESD. No gate overvoltage rating is implied.  
    ©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS89161LZ Rev. C4  
    2
    www.fairchildsemi.com  
    Typical Characteristics ( N-Channel) TJ = 25°C unless otherwise noted  
    15  
    12  
    9
    4
    3
    2
    1
    0
    VGS = 10 V  
    VGS = 3.5 V  
    VGS = 8 V  
    VGS = 6 V  
    VGS =5 V  
    VGS = 4 V  
    VGS = 4 V  
    VGS = 5 V  
    VGS = 6 V  
    6
    VGS = 3.5 V  
    VGS = 10 V  
    VGS = 8 V  
    3
    PULSE DURATION = 80 μs  
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    PULSE DURATION = 80 μs  
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    3
    6
    9
    12  
    15  
    VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    ID, DRAIN CURRENT (A)  
    Figure 1. On-Region Characteristics  
    Figure2. N o r m a l i z e d O n - R e s i s ta n c e  
    vs Drain Current and Gate Voltage  
    500  
    2.0  
    PULSE DURATION = 80 μs  
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    ID = 2.7 A  
    ID = 2.7 A  
    1.8  
    1.6  
    1.4  
    1.2  
    1.0  
    0.8  
    0.6  
    VGS = 10 V  
    400  
    300  
    200  
    100  
    0
    TJ = 125 o  
    C
    TJ = 25 o  
    C
    2
    4
    6
    8
    10  
    -75 -50 -25  
    0
    25 50 75 100 125 150  
    TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
    VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    F ig u re 3. No rmal i zed O n-Re si stan ce  
    vs Junction Temperature  
    Figure4. On-Resistance vs Gate to  
    Source Voltage  
    15  
    20  
    VGS = 0 V  
    10  
    12  
    9
    TJ = 150 o  
    C
    1
    TJ = 25 oC  
    VDS = 50 V  
    PULSE DURATION = 80 μs  
    DUTY CYCLE = 0.5% MAX  
    0.1  
    6
    TJ = 150 oC  
    TJ = 25 oC  
    2
    0.01  
    TJ = -55 oC  
    3
    TJ = -55 oC  
    0.001  
    0
    0.0  
    0.2  
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1.0  
    1.2  
    0
    4
    6
    8
    10  
    VSD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
    VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 5. Transfer Characteristics  
    Figure6. Source to Drain Diode  
    Forward Voltage vs Source Current  
    ©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS89161LZ Rev. C4  
    3
    www.fairchildsemi.com  
    Typical Characteristics ( N-Channel) TJ = 25°C unless otherwise noted  
    10  
    8
    400  
    100  
    VDD = 25 V  
    ID = 2.7 A  
    Ciss  
    VDD = 50 V  
    6
    Coss  
    VDD = 75 V  
    4
    10  
    1
    2
    f = 1 MHz  
    = 0 V  
    Crss  
    V
    GS  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0.1  
    1
    10  
    100  
    VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Qg, GATE CHARGE (nC)  
    Figure 7. Gate Charge Characteristics  
    Figure8. C a p a c i t a n c e v s D r a i n  
    to Source Voltage  
    4
    3.0  
    3
    2
    1
    0
    2.5  
    2.0  
    1.5  
    1.0  
    VGS = 10 V  
    TJ = 25 o  
    C
    TJ = 100 o  
    C
    VGS = 6 V  
    RθJA = 78 oC/W  
    TJ = 125 oC  
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    150  
    0.01  
    0.1  
    tAV, TIME IN AVALANCHE (ms)  
    1
    2
    TA, Ambient TEMPERATURE (oC)  
    Figure9. U n c l a m p e d I n d u c t i v e  
    Switching Capability  
    Figure10. Maximum Continuous Drain  
    Current vs Ambient Temperature  
    10-1  
    10-2  
    10-3  
    10-4  
    10-5  
    10-6  
    10-7  
    10-8  
    10-9  
    20  
    10  
    VDS = 0 V  
    100 us  
    1
    1 ms  
    TJ = 125 oC  
    THIS AREA IS  
    LIMITED BY rDS(on)  
    10 ms  
    100 ms  
    TJ = 25 o  
    C
    0.1  
    SINGLE PULSE  
    TJ = MAX RATED  
    RθJA = 135 oC/W  
    1 s  
    10 s  
    0.01  
    T
    A = 25 oC  
    DC  
    0.005  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    400  
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    35  
    VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V)  
    VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 11. Gate Leakage Current vs  
    Gate to Source Voltage  
    Figure12. Forward Bias Safe  
    Operating Area  
    ©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS89161LZ Rev. C4  
    4
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    Typical Characteristics ( N-Channel) TJ = 25°C unless otherwise noted  
    1000  
    100  
    10  
    SINGLE PULSE  
    RθJA = 135 oC/W  
    TA = 25 o  
    C
    1
    0.5  
    10-4  
    10-3  
    10-2  
    10-1  
    1
    10  
    102  
    103  
    t, PULSE WIDTH (sec)  
    Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation  
    2
    1
    DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER  
    D = 0.5  
    0.2  
    0.1  
    0.01  
    P
    DM  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    0.01  
    t
    1
    t
    2
    NOTES:  
    DUTY FACTOR: D = t /t  
    SINGLE PULSE  
    RθJA = 135 oC/W  
    1
    2
    PEAK T = P  
    J
    x Z  
    x R  
    + T  
    θJA A  
    DM  
    θJA  
    0.001  
    10-4  
    10-3  
    10-2  
    10-1  
    t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)  
    1
    10  
    100  
    1000  
    Figure 14. Junction-to-Ambient Transient Thermal Response Curve  
    ©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS89161LZ Rev. C4  
    5
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    ®
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    ®
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    XS™  
    ®
    SupreMOS  
    FACT  
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    ®
    ®
    OPTOPLANAR  
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    ®*  
    ®
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    tm  
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    ANTI-COUNTERFEITING POLICY  
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    www.Fairchildsemi.com, under Sales Support.  
    Counterfeiting of semiconductor parts is a growing problem in the industry. All manufactures of semiconductor products are experiencing counterfeiting of their  
    parts. Customers who inadvertently purchase counterfeit parts experience many problems such as loss of brand reputation, substandard performance, failed  
    application, and increased cost of production and manufacturing delays. Fairchild is taking strong measures to protect ourselves and our customers from the  
    proliferation of counterfeit parts. Fairchild strongly encourages customers to purchase Fairchild parts either directly from Fairchild or from Authorized Fairchild  
    Distributors who are listed by country on our web page cited above. Products customers buy either from Fairchild directly or from Authorized Fairchild  
    Distributors are genuine parts, have full traceability, meet Fairchild’s quality standards for handing and storage and provide access to Fairchild’s full range of  
    up-to-date technical and product information. Fairchild and our Authorized Distributors will stand behind all warranties and will appropriately address and  
    warranty issues that may arise. Fairchild will not provide any warranty coverage or other assistance for parts bought from Unauthorized Sources. Fairchild is  
    committed to combat this global problem and encourage our customers to do their part in stopping this practice by buying direct or from authorized distributors.  
    PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
    Definition of Terms  
    Datasheet Identification  
    Product Status  
    Definition  
    Datasheet contains the design specifications for product development. Specifications  
    may change in any manner without notice.  
    Advance Information  
    Formative / In Design  
    Datasheet contains preliminary data; supplementary data will be published at a later  
    date. Fairchild Semiconductor reserves the right to make changes at any time without  
    notice to improve design.  
    Preliminary  
    First Production  
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    make changes at any time without notice to improve the design.  
    No Identification Needed  
    Obsolete  
    Full Production  
    Datasheet contains specifications on a product that is discontinued by Fairchild  
    Semiconductor. The datasheet is for reference information only.  
    Not In Production  
    Rev. I54  
    www.fairchildsemi.com  
    ©2011 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS89161LZ Rev. C4  
    6
    Mouser Electronics  
    Authorized Distributor  
    Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information:  
    Fairchild Semiconductor:  
    FDS89161LZ  
    配单直通车
    FDS89161LZ产品参数
    型号:FDS89161LZ
    Brand Name：Fairchild Semiconductor
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Transferred
    零件包装代码：SOIC
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
    针数：8
    制造商包装代码：8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.95
    风险等级：5.71
    Is Samacsys：N
    其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE
    雪崩能效等级（Eas）：13 mJ
    配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：100 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.7 A
    最大漏极电流 (ID)：2.7 A
    最大漏源导通电阻：0.105 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-G8
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：2
    端子数量：8
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：N-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：31 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：15 A
    子类别：FET General Purpose Power
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
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