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FAIRCHILD FDS8958A
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Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
双N和P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
FAIRCHILD FDS8958A
中文翻译
Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
双N和P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
FAIRCHILD FDS8958A
中文翻译
Dual N and P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
双N和P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
FAIRCHILD FDS8958A
中文翻译
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
双N和P沟道PowerTrench MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
FAIRCHILD FDS8958A
中文翻译
Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET
双N和P沟道MOSFET PowerTrenchO
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
FAIRCHILD FDS8958A
中文翻译
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
双N和P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
FAIRCHILD FDS8958A
中文翻译
Dual N & P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
双N和P沟道增强型场效应晶体管
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管PC
FAIRCHILD FDS8958A_07
中文翻译
Dual N and P-Channel PowerTrench MOSFET
双N和P沟道PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD FDS8958A_08
中文翻译
Dual N & P-Channel PowerTrenchO MOSFET
双N和P沟道MOSFET PowerTrenchO
FAIRCHILD FDS8958A_10
中文翻译
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
双N和P沟道PowerTrench MOSFET
FAIRCHILD FDS8958A_F085 Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOP-8
PC开关脉冲光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS8958A_NF073 Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SO-8, 8 PIN
开关脉冲光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS8958A_NL
中文翻译
Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SO-8, 8 PIN
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
FAIRCHILD FDS8958AD84Z Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
开关脉冲光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS8958AF011 Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOIC-8
开关脉冲光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS8958AL86Z Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
开关脉冲光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS8958AS62Z Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
开关脉冲光电二极管晶体管
FAIRCHILD FDS8958A-SBND001A Transistor
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FDS8958A详细参数

是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码
SOT
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数
8
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
5.27
Samacsys Confidence
4
Samacsys Status
Released
2D Presentation
Schematic Symbol
PCB Footprint
3D View
Samacsys PartID
1006106
Samacsys Image
Samacsys Thumbnail Image
Samacsys Pin Count
8
Samacsys Part Category
Transistor
Samacsys Package Category
Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name
SOIC8_8
Samacsys Released Date
2019-08-22 10:35:53
Is Samacsys
N
雪崩能效等级(Eas)
54 mJ
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7 A
最大漏极电流 (ID)
7 A
最大漏源导通电阻
0.028 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
20 A
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
30
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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