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FAIRCHILD FDS8958AS62Z Power Field-Effect Transistor, 7A I(D), 30V, 0.028ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SO-8
开关脉冲光电二极管晶体管

FDS8958AS62Z详细参数

生命周期
Obsolete
零件包装代码
SOT
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数
8
Reach Compliance Code
unknown
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
5.7
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
30 V
最大漏极电流 (ID)
7 A
最大漏源导通电阻
0.028 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
极性/信道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)
20 A
认证状态
Not Qualified
表面贴装
YES
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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