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FAIRCHILD FDS8960C
中文翻译
Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
双N和P沟道MOSFET PowerTrench㈢
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
FAIRCHILD FDS8960C
中文翻译
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
双N和P沟道PowerTrench MOSFET
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
FAIRCHILD FDS8960C_0511
中文翻译
Dual N & P-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
双N和P沟道MOSFET PowerTrench㈢

FDS8960C详细参数

Brand Name
Fairchild Semiconductor
是否无铅
不含铅
是否Rohs认证
符合
生命周期
Transferred
IHS 制造商
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
零件包装代码
SOIC
包装说明
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数
8
制造商包装代码
8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150" NARROW BODY, DUAL DAP
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代码
EAR99
HTS代码
8541.29.00.95
风险等级
3.33
Is Samacsys
N
其他特性
FAST SWITCHING
雪崩能效等级(Eas)
24.5 mJ
配置
SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压
35 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)
7 A
最大漏极电流 (ID)
7 A
最大漏源导通电阻
0.024 Ω
FET 技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码
R-PDSO-G8
JESD-609代码
e3
湿度敏感等级
1
元件数量
2
端子数量
8
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作温度
150 °C
封装主体材料
PLASTIC/EPOXY
封装形状
RECTANGULAR
封装形式
SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)
260
极性/信道类型
N-CHANNEL AND P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)
20 A
认证状态
Not Qualified
子类别
Other Transistors
表面贴装
YES
端子面层
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间
NOT SPECIFIED
晶体管应用
SWITCHING
晶体管元件材料
SILICON
Base Number Matches
1
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