fds8962c 的Datasheet文档资料查询

FDS8962C详细参数

是否无铅

不含铅

是否Rohs认证

符合

生命周期

Obsolete

IHS 制造商

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP

零件包装代码

SOIC

包装说明

SOP-8

针数

8

制造商包装代码

8LD, JEDEC MS-012, .150"NARROW BODY

Reach Compliance Code

unknown

ECCN代码

EAR99

HTS代码

8541.29.00.95

风险等级

8.01

Is Samacsys

N

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

最小漏源击穿电压

30 V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5 A

最大漏极电流 (ID)

7 A

最大漏源导通电阻

0.03 Ω

FET 技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

JESD-30 代码

R-PDSO-G8

JESD-609代码

e3

湿度敏感等级

1

元件数量

2

端子数量

8

工作模式

ENHANCEMENT MODE

最高工作温度

150 °C

封装主体材料

PLASTIC/EPOXY

封装形状

RECTANGULAR

封装形式

SMALL OUTLINE

峰值回流温度（摄氏度）

260

极性/信道类型

N-CHANNEL AND P-CHANNEL

最大功率耗散 (Abs)

2 W

最大脉冲漏极电流 (IDM)

20 A

认证状态

Not Qualified

子类别

Other Transistors

表面贴装

YES

端子面层

Matte Tin (Sn)

端子形式

GULL WING

端子位置

DUAL

处于峰值回流温度下的最长时间

30

晶体管应用

SWITCHING

晶体管元件材料

SILICON

Base Number Matches

1