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    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • FDS9953A图

    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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    • 厂家ON(安森美) 
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    • 深圳市科雨电子有限公司

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    • ★体验愉快问购元件！！就找我吧!单价:11元
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    • FDS9953A图

    • 上海振基实业有限公司

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    • FDS9953A
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    • 厂家Fairchild 
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    • 上海磐岳电子有限公司

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    • FDS9953A
    • 数量5800 
    • 厂家FDS 
    • 封装SOP-8 
    • 批号2024+ 
    • 全新原装现货,杜绝假货。
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    • 深圳市得捷芯城科技有限公司

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    • FDS9953A
    • 数量3283 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
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    • 批号23+ 
    • 原装现货，当天可交货，原型号开票
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    • FDS9953A MOS(场效应管)图

    • 深圳市羿芯诚电子有限公司

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    • FDS9953A MOS(场效应管)
    • 数量8500 
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    • 羿芯诚只做原装长期供，支持实单
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    • 深圳市欧立现代科技有限公司

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    • 全新原装现货，欢迎询购！
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    • FDS9953A图

    • 深圳市宏诺德电子科技有限公司

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    • FDS9953A
    • 数量68000 
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    • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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    • FDS9953A
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    • 厂家FSC 
    • 封装原厂指定分销商，有意请来电或QQ洽谈 
    • 批号17+ 
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    • FDS9953A-NL:图

    • 北京中其伟业科技有限公司

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    • FDS9953A-NL:
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    • 厂家√ 欧美㊣品 
    • 封装贴◆插 
    • 批号16+ 
    • 特价,原装正品,绝对公司现货库存,原装特价!
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    • 北京齐天芯科技有限公司

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    • FDS9953A_NL
    • 数量5000 
    • 厂家FAIRCHIL 
    • 封装原厂封装 
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    • 原装正品，假一罚十
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    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • FDS9953A
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    • 厂家FSC 
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    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
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    • 0755-88917743 QQ:2881495751
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    • 深圳市亿科泰电子有限公司

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    • FDS9953A
    • 数量52785 
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    • 国产现货进口大芯片专营价优
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    • 深圳市瑞天芯科技有限公司

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    • FDS9953A
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    • 厂家FAIRCHI 
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    • 深圳现货库存，保证原装正品
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    • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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    • FDS9953A
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    • 厂家FAI 
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    • 批号23+ 
    • 代理全新原装现货，价格优势
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      QQ:2924695115QQ：2924695115 复制
    • 0755-82777855 QQ:1774550803QQ:2924695115
    • FDS9953A图

    • 深圳市芯福林电子有限公司

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    • FDS9953A
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    • 厂家FSC 
    • 封装SOT-8 
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    • 真实库存全新原装正品！代理此型号
    • QQ:2881495753QQ：2881495753 复制
    • 0755-23605827 QQ:2881495753
    • FDS9953A-LF图

    • 深圳市一线半导体有限公司

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    • FDS9953A-LF
    • 数量25000 
    • 厂家原厂品牌 
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    • 全新原装部分现货其他订货
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    • FDS9953A图

    • 深圳市创思克科技有限公司

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    • FDS9953A
    • 数量8800 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOP 
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    • 全新原装原厂实力挺实单欢迎来撩
    • QQ:1092793871QQ：1092793871 复制
    • -0755-88910020 QQ:1092793871
    • FDS9953A图

    • 深圳市芯脉实业有限公司

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    • 数量6980 
    • 厂家FAIRCHILD 
    • 封装SOP8 
    • 批号22+ 
    • 新到现货、一手货源、当天发货、bom配单
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    • 深圳市凯睿晟科技有限公司

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    • 数量30000 
    • 厂家ON/安森美 
    • 封装SMD 
    • 批号24+ 
    • 百域芯优势 实单必成 可开13点增值税
    • QQ:2885648621QQ：2885648621 复制
    • 0755-23616725 QQ:2885648621
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    • 深圳市正纳电子有限公司

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    • 厂家Fairchild(飞兆/仙童) 
    • 封装▊原厂封装▊ 
    • 批号▊ROHS环保▊ 
    • 十年以上分销商原装进口件服务型企业0755-83790645
    • QQ:2881664479QQ：2881664479 复制
    • 755-83790645 QQ:2881664479
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    • 深圳市创芯联科技有限公司

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    • 厂家Fairchild 
    • 封装NA 
    • 批号2234+ 
    • 原厂货源/正品保证，诚信经营，欢迎询价
    • QQ:1219895042QQ：1219895042 复制
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    • 0755-23606513 QQ:1219895042QQ:3061298850
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    • 深圳市华芯盛世科技有限公司

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    • 数量865000 
    • 厂家FAIRCHILD/仙童 
    • 封装SOP 
    • 批号最新批号 
    • 一级代理,原装特价现货！
    • QQ:2881475757QQ：2881475757 复制
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    • 深圳市华来深电子有限公司

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    • 数量11846 
    • 厂家FCS 
    • 封装SOP-8 
    • 批号1818+ 
    • 一级代理商现货批发，原装正品，假一罚十
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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • 数量4500 
    • 厂家fair 
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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • FDS9953A
    • 数量4500 
    • 厂家fair 
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    • 全新原装现货特价销售！
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    • 深圳市恒达亿科技有限公司

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    • 数量3000 
    • 厂家FAIRCHILD 
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    • 批号23+ 
    • 全新原装公司现货库存！
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    • 集好芯城

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    • 原装原厂 现货现卖
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    • 深圳市晶美隆科技有限公司

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    • 绿盛电子（香港）有限公司

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    • 厂家FAIR 
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    • ★一级代理原装现货，特价热卖!★
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    • 深圳市赛尔通科技有限公司

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    • 数量12850 
    • 厂家FAIRC 
    • 封装SOP-8 
    • 批号NEW 
    • 绝对进口原装现货，市场价格最低！！
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    • 深圳市毅创腾电子科技有限公司

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    • 数量25384 
    • 厂家FAIRCHI 
    • 封装SOP8 
    • 批号22+ 
    • ★只做原装★正品现货★原盒原标★
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    • 86-0755-83210909 QQ:2355507165QQ:2355507162

    产品型号FDS9953A的概述

    芯片FDS9953A的概述 FDS9953A是一款由Fairchild Semiconductor（现为ON Semiconductor）推出的双通道N沟道MOSFET，主要用于电源管理和开关应用。该芯片以其高效率、低导通电阻和小型封装而受到广泛关注，适用于各种电子设备中的驱动电路、负载开关和其它功率控制功能。 FDS9953A具有两个独立的通道，使其能够简化复杂电路设计。它的设计考虑到了在各种负载条件下的性能需求，确保在高频率和高效率的应用中能够稳定工作。MOSFET的结构使其具备良好的开关特性，适合于需要快速响应和高频切换的应用场景。 芯片FDS9953A的详细参数 FDS9953A的主要参数如下： - 类型：双通道N沟道MOSFET - 最大漏极-源极电压（V_DS）：30V - 最大栅极-源极电压（V_GS）：±20V - 导通电阻（R_DS(on)）： - V_GS = ...

    产品型号FDS9953A的Datasheet PDF文件预览

    May 2001  
    FDS9953A  
    Dual 30V P-Channel PowerTrenchÒ MOSFET  
    General Description  
    Features  
    This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of  
    Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench  
    process. It has been optimized for power management  
    applications requiring a wide range of gave drive  
    voltage ratings (4.5V – 25V).  
    · –2.9 A, –30 V  
    RDS(ON) = 130 mW @ VGS = –10 V  
    RDS(ON) = 200 mW @ VGS = –4.5 V  
    · Low gate charge (2.5nC typical)  
    · Fast switching speed  
    Applications  
    ·
    ·
    ·
    Power management  
    Load switch  
    · High performance trench technology for extremely  
    low RDS(ON)  
    Battery protection  
    · High power and current handling capability  
    D1  
    5
    6
    7
    8
    4
    3
    2
    1
    D1  
    D2  
    Q1  
    Q2  
    D2  
    G1  
    SO-8  
    S1  
    G2
    S2  
    Pin 1  
    Absolute Maximum Ratings TA=25oC unless otherwise noted  
    Symbol  
    VDSS  
    Parameter  
    Drain-Source Voltage  
    Ratings  
    Units  
    V
    –30  
    ±25  
    VGSS  
    ID  
    Gate-Source Voltage  
    V
    A
    ±2.9  
    Drain Current – Continuous  
    – Pulsed  
    (Note 1a)  
    ±10  
    PD  
    W
    Power Dissipation for Dual Operation  
    Power Dissipation for Single Operation  
    2
    (Note 1a)  
    (Note 1b)  
    (Note 1c)  
    1.6  
    1
    0.9  
    TJ, TSTG  
    Operating and Storage Junction Temperature Range  
    –55 to +150  
    °C  
    Thermal Characteristics  
    RqJA  
    Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
    (Note 1a)  
    (Note 1)  
    78  
    40  
    °C/W  
    °C/W  
    RqJC  
    Thermal Resistance, Junction-to-Case  
    Package Marking and Ordering Information  
    Device Marking  
    Device  
    Reel Size  
    Tape width  
    Quantity  
    FDS9953A  
    FDS9953A  
    13’’  
    12mm  
    2500 units  
    Ó2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
    FDS9953A Rev B(W)  
    Electrical Characteristics  
    TA= 25°C unless otherwise noted  
    Symbol  
    Parameter  
    Test Conditions  
    Min Typ Max Units  
    Off Characteristics  
    Drain–Source Breakdown  
    –30  
    V
    VGS = 0 V, ID = –250 mA  
    BVDSS  
    Voltage  
    Breakdown Voltage Temperature  
    Coefficient  
    –23  
    DBVDSS  
    DTJ  
    ID = –250 mA, Referenced to 25°C  
    mV/°C  
    VDS = –24 V,  
    VGS = –25 V,  
    VGS = 25 V,  
    VGS = 0 V  
    VDS = 0 V  
    VDS = 0 V  
    –2  
    mA  
    nA  
    nA  
    IDSS  
    Zero Gate Voltage Drain Current  
    Gate–Body Leakage, Forward  
    Gate–Body Leakage, Reverse  
    –100  
    100  
    IGSSF  
    IGSSR  
    On Characteristics  
    (Note 2)  
    –1  
    –1.8  
    4
    –3.0  
    V
    VDS = VGS, ID = –250 mA  
    VGS(th)  
    Gate Threshold Voltage  
    Gate Threshold Voltage  
    Temperature Coefficient  
    DVGS(th)  
    DTJ  
    ID = –250 mA, Referenced to 25°C  
    mV/°C  
    VGS = –10 V, ID = –1 A  
    VGS = –10 V, ID = –1 A, TJ=125°C  
    VGS = –4.5 V, ID = –0.5 A  
    95  
    137  
    142  
    130  
    200  
    200  
    RDS(on)  
    Static Drain–Source  
    On–Resistance  
    mW  
    VGS = –4.5 V, ID = –0.5 A, TJ=125°C  
    202  
    4
    310  
    VGS = –10 V,  
    VDS = –5 V  
    –5  
    A
    S
    ID(on)  
    gFS  
    On–State Drain Current  
    VGS = –4.5 V, VDS = –5 V  
    –1.5  
    Forward Transconductance  
    VDS = –15 V,  
    ID = –1 A  
    Dynamic Characteristics  
    C
    Input Capacitance  
    185  
    56  
    pF  
    pF  
    pF  
    iss  
    VDS = –15 V,  
    f = 1.0 MHz  
    V GS = 0 V,  
    Coss  
    Output Capacitance  
    C
    rss  
    Reverse Transfer Capacitance  
    26  
    Switching Characteristics (Note 2)  
    VDD = –15 V,  
    VGS = –10 V,  
    ID = –1 A,  
    RGEN = 6 W  
    td(on)  
    tr  
    td(off)  
    tf  
    Turn–On Delay Time  
    Turn–On Rise Time  
    Turn–Off Delay Time  
    Turn–Off Fall Time  
    Total Gate Charge  
    Gate–Source Charge  
    Gate–Drain Charge  
    4.5  
    13  
    11  
    2
    9
    23  
    20  
    4
    ns  
    ns  
    ns  
    ns  
    VDS = –5 V,  
    VGS = –10 V  
    ID = –1 A,  
    Qg  
    2.5  
    0.8  
    0.9  
    3.5  
    nC  
    nC  
    nC  
    Qgs  
    Qgd  
    Drain–Source Diode Characteristics and Maximum Ratings  
    –1.2  
    1.3  
    IS  
    Maximum Continuous Drain–Source Diode Forward Current  
    A
    V
    VSD  
    Drain–Source Diode Forward  
    Voltage  
    VGS = 0 V, IS = –1.3 A (Note 2)  
    –0.8  
    17  
    trr  
    Reverse Recovery Time  
    VGS = 0 V, IF = –1.25A,  
    100  
    nS  
    dIF/dt = 100A/ms  
    FDS9953A Rev B(W)  
    Typical Characteristics  
    Notes:  
    1. RqJAis the sum of the junction-to-case and case-to-ambient thermal resistance where the case thermal reference is defined as the solder mounting surface of  
    the drain pins. RqJCis guaranteed by design while RqCAis determined by the user's board design.  
    a)  
    78°C/W when  
    mounted on a  
    0.5in pad of 2  
    b)  
    125°C/W when  
    mounted on a  
    0.02 in pad of  
    c)  
    135°C/W when  
    mounted on a  
    minimum pad.  
    2
    2
    oz copper  
    2 oz copper  
    Scale 1 : 1 on letter size paper  
    2. Pulse Test: Pulse Width < 300ms, Duty Cycle < 2.0%  
    FDS9953A Rev B(W)  
    Typical Characteristics  
    3.5  
    3
    10  
    VGS = -10V  
    -6.0V  
    8
    VGS = -3.5V  
    -4.5V  
    2.5  
    2
    6
    4
    2
    0
    -4.0V  
    -4.0V  
    -4.5V  
    -5.0V  
    -3.5V  
    1.5  
    1
    -6.0V  
    -10V  
    -3.0V  
    4
    0.5  
    0
    2
    4
    6
    8
    10  
    0
    1
    2
    3
    5
    150  
    4.5  
    -ID, DRAIN CURRENT (A)  
    -VDS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 1. On-Region Characteristics.  
    Figure 2. On-Resistance Variation with  
    Drain Current and Gate Voltage.  
    1.6  
    0.5  
    0.4  
    0.3  
    0.2  
    0.1  
    0
    ID = -1A  
    ID = -0.5 A  
    VGS = -10V  
    1.4  
    1.2  
    1
    TA = 125oC  
    TA = 25oC  
    0.8  
    0.6  
    -50  
    -25  
    0
    25  
    50  
    75  
    100  
    125  
    2
    4
    6
    8
    10  
    TJ, JUNCTION TEMPERATURE (oC)  
    -VGS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 3. On-Resistance Variation with  
    Temperature.  
    Figure 4. On-Resistance Variation with  
    Gate-to-Source Voltage.  
    10  
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    VGS = 0V  
    TA = -55oC  
    VDS = -5V  
    25oC  
    1
    125oC  
    TA = 125oC  
    0.1  
    25oC  
    0.01  
    -55oC  
    0.001  
    0.0001  
    0
    0.2  
    0.4  
    0.6  
    0.8  
    1
    1.2  
    1.4  
    1.5  
    2
    2.5  
    3
    3.5  
    4
    -V SD, BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)  
    -V GS, GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 5. Transfer Characteristics.  
    Figure 6. Body Diode Forward Voltage Variation  
    with Source Current and Temperature.  
    FDS9953A Rev B(W)  
    Typical Characteristics  
    10  
    300  
    250  
    200  
    150  
    100  
    50  
    VDS = -5V  
    ID =-1.0 A  
    -10V  
    f = 1MHz  
    GS = 0 V  
    V
    8
    6
    4
    2
    0
    CISS  
    -15V  
    COSS  
    CRSS  
    0
    0
    1
    2
    3
    4
    5
    0
    5
    10  
    15  
    20  
    25  
    30  
    Qg, GATE CHARGE (nC)  
    -VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)  
    Figure 7. Gate Charge Characteristics.  
    Figure 8. Capacitance Characteristics.  
    100  
    10  
    50  
    40  
    30  
    20  
    10  
    0
    SINGLE PULSE  
    Rq = 135°C/W  
    JA  
    100µs  
    TA = 25°C  
    RDS(ON) LIMIT  
    1ms  
    10ms  
    100ms  
    1
    1s  
    10s  
    DC  
    VGS = -10V  
    SINGLE PULSE  
    0.1  
    0.01  
    R
    qJA = 135oC/W  
    T
    A = 25oC  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100  
    -VDS , DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)  
    t1, TIME (sec)  
    Figure 9. Maximum Safe Operating Area.  
    Figure 10. Single Pulse Maximum  
    Power Dissipation.  
    1
    D = 0.5  
    RqJA(t) = r(t) + RqJA  
    RqJA = 135 °C/W  
    0.2  
    0.1  
    0.1  
    0.05  
    0.02  
    P(pk)  
    t1  
    0.01  
    t2  
    0.01  
    TJ - TA = P * R JA(t)  
    q
    Duty Cycle, D = t1 / t2  
    SINGLE PULSE  
    0.001  
    0.0001  
    0.001  
    0.01  
    0.1  
    1
    10  
    100 1000  
    Figure 11. Transient Thermal Response Curve.  
    Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1c.  
    Transient thermal response will change depending on the circuit board design.  
    FDS9953A Rev B(W)  
    TRADEMARKS  
    The following are registered and unregistered trademarks Fairchild Semiconductor owns or is authorized to use and is  
    not intended to be an exhaustive list of all such trademarks.  
    OPTOPLANAR™  
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    support device or system, or to affect its safety or  
    effectiveness.  
    PRODUCT STATUS DEFINITIONS  
    Definition of Terms  
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    Product Status  
    Definition  
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    Formative or  
    In Design  
    This datasheet contains the design specifications for  
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    Fairchild Semiconductor reserves the right to make  
    changes at any time without notice in order to improve  
    design.  
    No Identification Needed  
    Obsolete  
    Full Production  
    This datasheet contains final specifications. Fairchild  
    Semiconductor reserves the right to make changes at  
    any time without notice in order to improve design.  
    Not In Production  
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    that has been discontinued by Fairchild semiconductor.  
    The datasheet is printed for reference information only.  
    Rev. H2  
    配单直通车
    FDS9953A产品参数
    型号:FDS9953A
    Brand Name：Fairchild Semiconductor
    是否无铅： 不含铅
    是否Rohs认证： 符合
    生命周期：Transferred
    IHS 制造商：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
    零件包装代码：SOIC
    包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
    针数：8
    制造商包装代码：8LD, SOIC,JEDEC MS-012, .150" NARROW BODY, DUAL DAP
    Reach Compliance Code：compliant
    ECCN代码：EAR99
    HTS代码：8541.29.00.95
    风险等级：3.88
    Samacsys Confidence：3
    Samacsys Status：Released
    Samacsys PartID：167248
    Samacsys Pin Count：8
    Samacsys Part Category：Integrated Circuit
    Samacsys Package Category：Small Outline Packages
    Samacsys Footprint Name：SO 8L NB (SOIC)
    Samacsys Released Date：2015-04-17 13:37:03
    Is Samacsys：N
    配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
    最小漏源击穿电压：30 V
    最大漏极电流 (Abs) (ID)：2.9 A
    最大漏极电流 (ID)：2.9 A
    最大漏源导通电阻：0.13 Ω
    FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
    JESD-30 代码：R-PDSO-G8
    JESD-609代码：e3
    湿度敏感等级：1
    元件数量：2
    端子数量：8
    工作模式：ENHANCEMENT MODE
    最高工作温度：150 °C
    封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
    封装形状：RECTANGULAR
    封装形式：SMALL OUTLINE
    峰值回流温度（摄氏度）：260
    极性/信道类型：P-CHANNEL
    最大功率耗散 (Abs)：2 W
    最大脉冲漏极电流 (IDM)：10 A
    认证状态：Not Qualified
    子类别：Other Transistors
    表面贴装：YES
    端子面层：Matte Tin (Sn)
    端子形式：GULL WING
    端子位置：DUAL
    处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
    晶体管应用：SWITCHING
    晶体管元件材料：SILICON
    Base Number Matches：1
    •  
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