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FDT457N产品参数
型号:FDT457N
Brand Name:ON Semiconductor
是否无铅:不含铅
生命周期:Active
IHS 制造商:ON SEMICONDUCTOR
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
制造商包装代码:318H-01
Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
Factory Lead Time:1 week
风险等级:0.76
Samacsys Confidence:4
Samacsys Status:Released
2D Presentation:https://componentsearchengine.com/2D/0T/4497.2.1.png
Schematic Symbol:https://componentsearchengine.com/symbol.php?partID=4497
PCB Footprint:https://componentsearchengine.com/footprint.php?partID=4497
3D View:https://componentsearchengine.com/viewer/3D.php?partID=4497
Samacsys PartID:4497
Samacsys Image:https://componentsearchengine.com/Images/9/FDT457N.jpg
Samacsys Thumbnail Image:https://componentsearchengine.com/Thumbnails/2/FDT457N.jpg
Samacsys Pin Count:4
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:SOT223 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name:SOT-223 4L-3
Samacsys Released Date:2015-04-22 06:26:37
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5 A
最大漏极电流 (ID):5 A
最大漏源导通电阻:0.06 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G4
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:4
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):16 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:YES
端子面层:TIN
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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