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FDU6612A产品参数

品牌:ON Semiconductor

描述:MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK

详细描述:通孔 N 沟道 30V 9.5A(Ta),30A(Tc) 2.8W(Ta),36W(Tc) IPAK(TO-251)

制造商:ON Semiconductor

系列:PowerTrench®

包装:管件

零件状态:停產

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):30V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):9.5A(Ta),30A(Tc)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):20 毫欧 @ 9.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):9.4nC @ 5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):660pF @ 15V

FET 功能:-

功率耗散(最大值):2.8W(Ta),36W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:通孔

供应商器件封装:IPAK(TO-251)

封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

标准包装:1,800

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