FDU6612A产品参数

品牌：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 9.5A I-PAK

详细描述：通孔 N 沟道 30V 9.5A（Ta），30A（Tc） 2.8W（Ta），36W（Tc） IPAK（TO-251）

制造商：ON Semiconductor

系列：PowerTrench®

包装：管件

零件状态：停產

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：9.5A（Ta），30A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）：20 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：9.4nC @ 5V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：660pF @ 15V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），36W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：IPAK（TO-251）

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

标准包装：1,800